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三星宣布：DRAM工艺可达10nm

2015-12-14 13:45:01 2745

0 三星电子近日在国际学会“IEDM 2015”上就20nm工艺的DRAM开发发表了演讲。演讲中称，三星此次试制出了20nm工艺的DRAM，并表示可以“采用同样的方法，达到10nm工艺”。国际电子器件会议(IEDM)是由美国电气电子工程师学会(IEEE)主办的一个发表电子器件和应用方面最新研究、开发成果的国际性学术会议,每年举行一次,迄今已继续了三十一年,在国际电子器件和应用领域的科技人员中享有较高的声望。据了解，有威廉希尔官方网站人员指出DRAM的微细化极限是20nm，DRAM在单元中的电容器里储存电荷，对有电荷状态分配1、无电荷状态分配0，以此记录信息。但是，随着微细化发展，电容器的表面积越来越小，不能再如愿存储电荷。因此，业内通过将电容器做成细长的圆柱状来确保表面积来确保容量。圆柱的直径与长度之比，即宽高比正日益接近100。通常铅笔的宽高比为22左右，所以DRAM的电容器比例如同跟4根铅笔连起来那样。即使这样做，到2014年，一个DRAM电容器的容量（Cs）也只有2009年的52％。此次，三星通过将DRAM单元的配置由过去的格子状改成蜂窝状结构、引进减小Cb的“Air Spacer”威廉希尔官方网站，大大改善了原来的问题。蜂窝结构能保证最小尺寸条件下可以将电容器的直径增大约11％。这样，在保持宽高比的同时，可将电容器的长度延长大约11％。另外，通过采用圆柱状威廉希尔官方网站 “One Cylinder Storage（OCS）”,容量也比原来格子状排列时增大1.57倍。OSC是三星已在此前工艺中导入的威廉希尔官方网站。 Air Spacer威廉希尔官方网站是最近经常采用的通过在电极及布线周围设置空隙来减小寄生电容的威廉希尔官方网站。三星表示通过该威廉希尔官方网站，与原来布线绝缘采用Si3N4时相比，可使Cb减小34％。 0
2015-12-14 13:45:01　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 三星10nm怎么样？ 10nm工艺和14nm的工艺的对比 9202 • 揭秘Intel 10nm工艺，晶体管密度是三星10nm工艺的两倍 5326 • 三星10nm和台积电10nm对比分析 16465 • 三星全球首发第二代10nm DRAM产品 1570 • 三星采用第二代10nm工艺级别的DRAM芯片量产 933 • 三星宣布10nm制程新突破：已完成二代10nm工艺LPP验证工作 1617 • 三星宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片 3441 • 三星将EUV与10nm工艺结合推出LPDDR5内存芯片 2456 • 英伟达安培显卡或基于三星10nm工艺 2862 • 三星10nm工艺性能方面如何? 7nm工艺是极限了吗? 4680 1 个讨论