IGBT-1200A型测试仪可以测试大功率IGBT(双极型晶体管),大功率MOS管的Vce-Ic特性曲线。在国内 电子市场上,鱼目混珠的产品太多,特别是大功率的IGBT,全新的和翻新的很难分辨出真假,标称的饱和压降参数和实际的参数相差较大。工程师容易测试IGBT是否顺坏,但是难测试大电流情况下IGBT的表现情况。如果采用多个IGBT并联工作,即使是同一批次的产品,由于个体差异,大电流情况下的Vce压降千差万别,无法很好实现均流。如果能够真实测量大电流情况下,IGBT的实际压降,使用IGBT到实际产品时,能够大大的提高产品的可靠性。当然,本产品可以再采购时使用,准确分辨IGBT真伪,防止买到次品。本仪器用于大功率IGBT、mos管。采用国际上比较流行的测试条件,仪器小巧轻便,读数直观,外配电脑显示屏幕清晰分析功率器件的实际特性。 一:主要特点 A:测量多种IGBT、MOS管 B:集电极脉冲恒流源1200A C:脉冲恒流源 50uS~300uS D:Vce测量精度2mV | E:Vce测量范围0~8V F:电脑图形显示界面 G:被测量器件智能保护 |
二:应用范围 A:大功率IGBT(双极型晶体管) B:大功率场效应管(Mosfet) C:其他功率管 三:测量原理
图1测量原理图 四:参数 类型 | | | | 集电极恒流脉冲电流 Collect node Pulse current | | | | | | | | Vce饱和压降范围 Vce Sat voltage | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
图2 IGBT-1200A型Vce-Ic特性曲线测试仪操作接口图
图3 IGBT-1200A型Vce-Ic特性曲线测试仪电脑操作界面图 仪器规格改变,恕不通知! 五:操作步骤 第一步:关闭电源,将IGBT管接入; 第二步:连上电源线、RS232连接线; 第三步:打开上位机操作界面,选择测试电流; 第四步:打开电源开关; 第五步:开始测试; 第六步:数据处理; 最后得到的曲线如下图:测试器件为CM400HA-24H@Vgs=15.0V
六:测量CM400HA-24H大功率IGBT步骤 第一步:关闭电源,用将CM400HA-24H的IGBT管接入; 连接好大电流线到集电极和发射极,使用红色。 第二步:连上电源线、RS232连接线;打开上位机操作界面,选择测试电流;
第三步:打开电源开关;开始测试;
第四步:数据处理;表为导出的数据
下图为官方datasheet给定的Vsat图。
下表将测试数据和官方数据进行比较, 通过比较发现:官方数据仅供参考,数据优化后非常美,实际上达不到标定参数,如果按照官方给定的参数设计散热量的话,你就相差50%,后果严重。 七:测量GT60M103大功率IGBT步骤 第一步:连接IGBT模块,
第二步:连上电源线、RS232连接线; 打开电脑程序;设置电脑程序;
第三步:打开测试仪电源开关;开始测试;
当测试进行到260A左右时,测试仪发现IGBT过流了,如果在进行测试,恐怕损坏IGBT,自动弹出过流报警信号,同时自动停止测试脉冲,整个测试过程结束。
点击确定,对话框关闭。 第四步:数据处理; 通过鼠标右键,可以导出bmp格式的图片和excel格式的数据。如下图。
对比官方网站上的GT60M104管子的datasheet,对比看一看Vsat曲线。
20A:实测数据Vce为1.9V 官方数据Vce为1.8V 40A:实测数据Vce为2.35V 官方数据Vce为2.0V 60 A:实测数据Vce为2.65V 官方数据Vce为2.2V 80 A:实测数据Vce为3.0V 官方数据Vce为2.4V 100 A:实测数据Vce为3.35V 官方数据Vce为2.45V 更高的电流数据官方没有给出,这个可以参考实际测试所得到的数据。 综上:官方给定数据在20A以下吻合较好,但是大于40A以后,器件的特性明显没有官方给定的数据有力,饱和压降显得偏高。这个数据在器件多个并联使用时非常重要,不同器件并联时,要求一致行好才可以并联,不然哪个管子性能优良,哪个就容易损坏。 八:常见问题分析 1、测试波形存在很大的噪声,波形不稳定。 答:测试器件的连接线必须非常可靠,确保1200A的大电流没有虚接。如果出现接线问题,只需要从新接线即可。 2、小电流测试时波形平滑,大电流时出现波形不稳定。 答:Vce测量线测量时不能有很大的所围成的面积,减小线距离,防止电磁干扰。 3、以上问题确定没有问题时,还是出现波形不稳定。 答:将测试恒流脉冲宽度设置到300uS,解决问题。因为脉冲宽度小的时候,电流没有稳定,建议使用300uS脉冲宽度进行测试。
|