[讨论]

【交流】XDLab--半导体制造专题

2014-5-14 10:17:17 3097 半导体

` 此专题将逐步介绍半导体的生产流程，通过这个专题，可以了解到：一粒沙子如何变成价值不菲，功能强大的芯片；制程中涉及到的威廉希尔官方网站；半导体威廉希尔官方网站的瓶颈；等等；
如果您想了解更多基本的知识，请积极回复。谢谢！！

先来个最基本的：半导体行业“黄金定理”——摩尔定律：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18个月翻一倍以上。
这一定律揭示了信息威廉希尔官方网站进步的速度。

`

本帖子中包含更多资源

您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册

评分

参与人数 1	威望 +5	+5	积分 +15	收起理由
默默地努力	+ 5	+ 5	+ 15	您的付出是论坛的动力,感谢您一直支持!.

查看全部评分

2014-5-14 10:17:17　　评论 淘帖0 举报

相关推荐

3 个讨论

0 本帖最后由西电奋斗者于 2014-5-14 10:43 编辑【1947，世界上第一个晶体管】 1947年12月16日：威廉·邵克雷（William Shockley）、约翰·巴顿（John Bardeen）和沃特·布拉顿（Walter Brattain）成功地在贝尔实验室制造出第一个晶体管。 [/url] 晶体管之父William Shockley [url=http://baike.baidu.com/picture/30363/30363/0/d1e312f4243783d67709d770?fr=lemma&ct=single] 第一枚晶体管模型本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x

2014-5-14 10:35:21 评论举报 1^# 时贺原

0 本帖最后由西电奋斗者于 2014-5-14 10:55 编辑【1958，第一块集成电路】 1958年：德仪公司基尔比与仙童公司Robert Noyce间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史；杰克-基尔比第一块集成电路（五个元器件）本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x

2014-5-14 10:52:22 评论举报 2^# 时贺原

0 【快速发展阶段】 1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺 1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管 1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS威廉希尔官方网站，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺 1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍 1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门），为现如今的大规模集成电路发展奠定了坚实基础，具有里程碑意义 1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司 1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现 1971年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明 1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802 1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世 1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临 1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球第一台PC 1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世 1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM 1985年：80386微处理器问世，20MHz 1988年：16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（VLSI）阶段 1989年：1Mb DRAM进入市场 1989年：486微处理器推出，25MHz，1μm工艺，后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺 1992年：64M位随机存储器问世 1993年：66MHz奔腾处理器推出，采用0.6μm工艺 1995年：Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μm工艺； 1997年：300MHz奔腾Ⅱ问世，采用0.25μm工艺 1999年：奔腾Ⅲ问世，450MHz，采用0.25μm工艺，后采用0.18μm工艺 2000年：1Gb RAM投放市场 2000年：奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18μm工艺 2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。 2003年：奔腾4 E系列推出，采用90nm工艺。 2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工艺。 2007年：基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。 2009年：intel酷睿i系列全新推出，创纪录采用了领先的32纳米工艺，并且下一代22纳米工艺正在研发。 2014年：三星10纳米工艺用于服务器等的NAND闪存(V-NAND)正式投产；

2014-5-14 11:02:05 评论举报 3^# 时贺原