未来推动芯片尺寸微缩的五种威廉希尔官方网站

2014-1-4 09:52:44 2924

0 IC尺寸微缩仍面临挑战。为了使芯片微缩，总是利用光刻威廉希尔官方网站来推动。然而近期Sematech在一次演讲中列举了可维持摩尔定律的其他一些威廉希尔官方网站。 1. 零低k界面：在目前Intel的45nm设计中，采用硅衬底和高k金属栅。在硅与高k材料之间有低k材料。对于零低k界面，免去了低k材料，提高驱动电流并减少漏电。这是16nm节点的一种选择。 2. 单金属栅堆叠：与传统晶体管相比，高k金属栅利用了单金属栅堆叠结构，这改善了晶体管性能，且降低了器件功耗。 3. III-V族材料上栅堆叠：Intel、Sematech等已在讨论在未来设计中采用InGaAs/高k界面。这种方法也能改善性能降低功耗。 4. 量子阱MOSFET：在硅上采用硅锗结构是改善性能的一种方法。Intel近期展示了一款高速低功耗量子阱场效应晶体管。这种P沟道结构将基于40nm InSb材料。 5. 基于通孔硅威廉希尔官方网站的3D芯片：Sematech近期透露了建立基于通孔硅威廉希尔官方网站的300mm 3D芯片研发计划。 0
2014-1-4 09:52:44　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 芯片尺寸封装威廉希尔官方网站解析 1562 • 关于读取芯片尺寸问题。 2720 • 详解芯片尺寸封装(CSP)类型 2006 • 晶圆级芯片尺寸封装-AN10439 5 • HFAN-08.0.1：了解粘合坐标和物理芯片尺寸 626 • HFAN-08.0.1：了解粘合坐标和物理芯片尺寸 901 • 量子运算+集成电路，芯片尺寸无限小？ 3148 • 为芯片节能五种降低未来IC功耗的威廉希尔官方网站 3000 • 倒装芯片尺寸级封装工艺流程与威廉希尔官方网站 3928 • 圆片级芯片尺寸封装工艺流程与威廉希尔官方网站 3168 2 个讨论