USB2.0数据接口ESD保护

2013-12-27 16:21:39 3111 接口

0 如今的电子系统中越来越多地采用以CMOS工艺制造的低功率逻辑芯片。这些芯片如果遭遇足够高的静电放电(ESD)电压，芯片内部的电介质上就会产生电弧，并在门氧化物层烧出显微镜可见的孔洞，造成芯片的永久损坏。通用串行总线(USB)高速数据应用也十分普遍，用户在热插拨任何USB外设时可能会导致ESD事件。此外，在离导电表面几英寸的地方也可能发生空气放电，可能损坏USB接口及芯片。因此，设计人员必须为USB元件提供ESD保护。业界制定了不少针对不同瞬态干扰的ESD标准，比如针对系统级ESD事件的IEC61000-4-2国际标准。另外还有一些元器件级的ESD敏感度测试标准，如人体模型(HBM)和机器模型(MM)等。USB 2.0高速数据线路应用的半导体ESD保护元件应当具备下列重要特性：极低电容：将USB 2.0高速数据线路(480 Mbps)中的信号衰减减至最小；快速动作响应时间(纳秒级)：在ESD脉冲信号快速上升时保护USB元件；低泄漏电流：将额定工作条件下的功率消耗减至最低；强固性：能够承受很多次的ESD事件冲击而不受损伤； 0
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