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之前在论坛里面发帖问了关于如何延长EEPROM寿命的问题,后面经大神推荐选择了用FRAM来替代。
前两天在某公司申请的FRAM样片到了,今天就拿来做测试。 我原本的测试方案就是跟以前测试EEPROM一样, “读写数据后最对比,若数据一致则记录一次成功,重复记录N次直至数据不一致” 但是进行测试的时候,我突然意识到一个问题。我在FRAM的介绍里面看到说: “FRAM读写次数超限之后它只是不再有非易矢性,但是还能当做普通的RAM来用。” 那是不是就是说,只要一直上电着的话,后面没有非易失性之后,只要一直通电还是能够正确读写。 所以如果要把它当EEPROM来测试的话,按理说是要“写入数据后断电再上电后读取数据,比较是否一致,一致则计数”。 然后重复测N次得到非易失性的有效读写次数。 但是又不能直接拿STM32的引脚来驱动FRAM芯片的VCC,又不能老是手动断电上电这么来测,这下有点找不准方向了。 想知道论坛里面各位大神有没有什么好的测试方案木有。。。 |
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