国防威胁减除局寻求抗辐射高频模拟和射频半导体

2012-12-4 19:52:12 2584 半导体高频

0 美国国防威胁减除局（DTRA）11月28日发布了一份信息征询书（NTS139926578），寻求先进抗辐射高频模拟和射频半导体威廉希尔官方网站，以支持“先进高频模拟和射频半导体威廉希尔官方网站研发与加固”项目。 DTRA将向行业寻求辐射测试、建模和模拟威廉希尔官方网站，以评估单粒子效应（SEE）和总剂量效应（tiD）的辐射环境下高频半导体的模拟和射频性能。 DTRA也关注90纳米以下半导体的抗辐射建模、仿真和抗辐射加固英国威廉希尔公司网站，设备类型包括硅锗双极互补金属氧化物半导体（BiCMOS）和硅锗异质结双极晶体管（SiGe HBTs）。DTRA关注的其他设备类型还包括45纳米绝缘硅（SOI）芯片、氮化镓异质结场效应晶体管（GaAn HFET）功率半导体和其他抗辐射微电子和光子器件，用于当前和未来军事系统，如卫星和导弹。 0
2012-12-4 19:52:12　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 意法半导体扩大抗辐射航天用模拟芯片产品阵容 974 • 什么是辐射抗扰度？射频电磁场辐射抗扰度试验 30362 • 辐射抗扰指的是什么？ 2361 • 射频电磁场辐射抗扰度测试介绍 2241 • 射频电磁场辐射抗扰度试验 8 • 艾迈斯半导体另辟蹊径，寻求智能手机应用的破局之道 2956 • 适合用于射频、微波等高频电路的半导体材料及工艺情况介绍 5549 • GaN功率半导体与高频生态系统 908 • 半导体 525 • 看芯片帝国的兴衰，寻中国半导体产业的破局之路 1067