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本帖最后由 86hupeng 于 2012-12-3 09:03 编辑 概述:光电传感器是将被测量的变化通过光信号变化转换成电信号,具有这种功能的材料称为光敏材料,做成的器件称光敏器件。光敏器件种类很多,如:光电管、光电倍增管、光敏电阻、光敏二极管、光敏晶极管、光电池、光电耦合器件(CCD)、光纤等等。 8.1 光电效应 传统的光敏器件利用各种光电效应,光电效应可分为: 外光电效应 内光电效应:光电导效应 光生伏特效应 8.1.1外光电效应 在光线作用下,电子逸出物体表面向外发射称外光电效应。光照射物体时,电子吸收入射光子的能量,每个光子具有的能量是: E=hy h——普朗克常数(J、S、y) y——光的频率(Hz),波长短,频率高,能量大 一个电子逸出的能量(动能)为1/2mvv, 由能量守恒定律有: E=hy=1/2mvv+A 如果光子的能量E大于电子的逸出功A,超出的能量表现在电子逸出的功能,电子逸出物体表面,产生光电子发射。能否产生光电效应,取决于光子的能量是否大于物体表面的电子逸出功。 8.1.2内光电效应 光电导效应 入射光强改变物质导电率的物理现象称光电导效应。这种效应几乎所有高电阻率的半导体都有,这是由于在入射光线作用下,电子吸收光子能量,电子从价带被激发到导带上,过渡到自由状态。同时价带也因此形成自由空穴,使导带的电子和价带的空穴浓度增大,引起电阻率减少。为使电子从价带激发到导带,入射光子的能量E0应大于禁带宽度Eg。基于光电导效应的光电器件有光敏电阻。 图8—1 光电导效应 光生伏特效应 光生伏特效应是半导体材料吸收光能后,在PN结上产生电动势的效应。 为什么PN结会因光照产生光生伏特效应呢?有下面两种情况: 不加偏压的PN结; 当光照射在PN结时,如果电子能量大于半导体禁带宽度(E0 > Eg) ,可激发出电子—空穴对,在PN结内电场作用下空穴移向P区,电子移向N区,使P区和N区之间产生电压,这个电压就是光生伏特效应产生的光生电动势。基于这种效应的器件有光电池。 |
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