[问答]

rt1052 sdram从32mb更换到8mb不能使用问题

1670 RT1052

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 使用的sdram型号是IS42S16160 32mb的是正常的但是更改到IS4216400 8mb的sdram后不能使用，请问1052支持吗？需要修改哪些配置，请大神讲解一下 0 本主题由 liuyongwangzi 于 2025-4-9 09:11 添加图标推荐
2025-4-8 19:40:06　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × 谢新貌该类别下有 43 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 39 个回答。邀请回答 911119qianhao 该类别下有 35 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 32 个回答。邀请回答 wang21cj 该类别下有 31 个回答。邀请回答独孤辉二该类别下有 27 个回答。邀请回答 wuli北该类别下有 25 个回答，其中被选为最佳答案 1 次。邀请回答修罗君该类别下有 24 个回答，其中被选为最佳答案 1 次。邀请回答 butterflydw 该类别下有 24 个回答。邀请回答 hy381 该类别下有 24 个回答。邀请回答周鹏生该类别下有 24 个回答。邀请回答牛牛爱吃草该类别下有 24 个回答。邀请回答 horayte 该类别下有 24 个回答，其中被选为最佳答案 1 次。邀请回答大洼球王该类别下有 23 个回答。邀请回答蔡甸一角该类别下有 23 个回答。邀请回答 hisysteeoke 该类别下有 23 个回答。邀请回答 32949523596693 该类别下有 23 个回答。邀请回答名士流该类别下有 23 个回答。邀请回答 a732538 该类别下有 22 个回答。邀请回答 testd27 该类别下有 22 个回答，其中被选为最佳答案 1 次。邀请回答举报张卓越相关推荐 • 求正点原子号令者I.MX RT1052的上手指南？ 4771 • 求野火I.MX RT1052上手指南？ 3088 • 请问rtt目前在rt1052的板子上不支持从flash加载到sdram中运行吗 1245 • 请问rtt目前在rt1052的板子上不支持从flash加载到sdram中运行吗？ 1707 • ESP32-C6是否可以将8MB扩展为64MBs使用？ 251 • 请问RT1052开发板怎么从MDK直接向hyper flash下载代码？ 357 • RT1052核心板可以替小白们做一个堆栈移到SDRAM的版本吗？ 3491 • RT1052外挂RAM和FALSH与STM32外部拓展差别是什么？ 387 • S32G274为什么无法访问完整的8MB SRAM？ 334 • 在RT1052上的Aworks框架进行BSP开发遇到哪些问题呢 882 1个回答

在将RT1052的SDRAM从32MB（IS42S16160）更换为8MB（IS42S16400）时，需重点关注以下配置和硬件调整：

1. 确认RT1052对IS42S16400的支持

RT1052的FlexSPI接口支持SDRAM，但需确保以下参数与芯片兼容：

数据总线宽度：IS42S16400为16位（与IS42S16160一致），无需修改总线位宽。

容量与地址映射：8MB需正确配置行/列地址，避免地址空间冲突。

2. 关键参数对比与配置调整

参数	IS42S16160 (32MB)	IS42S16400 (8MB)	需调整的配置
容量	32MB (4 Banks × 4096行 × 512列)	8MB (4 Banks × 2048行 × 256列)	修改行地址（`Row Address Bits`）和列地址（`Column Address Bits`）
行地址	12位（A0-A11）	11位（A0-A10）	设置`SEMC_SDRAMCR0[ROWS]`为`11`
列地址	9位（A0-A8）	8位（A0-A7）	设置`SEMC_SDRAMCR0[COLS]`为`8`
刷新周期	64ms/8192 cycles	64ms/4096 cycles	调整`SEMC_SDRAMCR0[REFRESH]`的值

3. 修改RT1052的SDRAM控制器配置

在semc_config或相关初始化代码中调整以下寄存器：

// 示例配置（基于NXP SDK）

semc_config_t config;

SEMC_GetDefaultConfig(&config);



// 调整行/列地址

config.sdramControl.columnAddrBitNum = kSEMC_SDRAMCol8bit;  // 列地址改为8位

config.sdramControl.rowAddrBitNum = kSEMC_SDRAMRow11bit;     // 行地址改为11位



// 更新时序参数（需参考IS42S16400手册）

config.sdramTiming.tPrecharge2Act_Ns = 18;  // tRP

config.sdramTiming.tAct2ReadWrite_Ns = 18;  // tRCD

config.sdramTiming.tRefreshRecovery_Ns = 70; // tRFC

// ... 其他时序参数（tRAS, tWR等）

4. 检查硬件连接

地址线匹配：确保A0-A10连接至SDRAM行地址，A0-A7连接至列地址（高位地址可能悬空）。

Bank地址线：确认BA0/BA1是否正确连接，8MB SDRAM可能使用更少的Bank地址线。

片选与时钟：检查片选信号（CS）、时钟（CLK）和电源稳定性。

5. 刷新率计算

根据SDRAM的刷新周期（如64ms内需完成4096次刷新）：
[
text{Refresh Rate} = frac{64text{ms}}{4096} approx 15.625mu s
]
在代码中设置SEMC_SDRAMCR0[REFRESH]为对应的计数值（基于SDK的时钟频率计算）。