TPS1120DR的威廉希尔官方网站参数

2008-7-24 09:37:25 4541

0 TPS1120DR的威廉希尔官方网站参数产品型号:TPS1120DR FET数:2 漏源电压(V):-15 持续漏极电流(VGS=-10V)最大值(A):-1.700 静态漏源直流电阻 (VGS=-10V)典型值(mΩ):180 通道极性:P沟道封装/温度(℃):8SOIC/-40~85 描述:双路P沟道增强方式MOSFET 价格/1片(套):￥13.40 相关型号：DTD113ZK SI4834 LM4050BIM3X-5.0 VN750SM 74HC125DB http://www.yule2000.com/DTD113ZK_ic.htm http://www.yule2000.com/SI4834_ic.htm http://www.yule2000.com/LM4050BIM3X-5.0_ic.htm http://www.yule2000.com/VN750SM_ic.htm http://www.yule2000.com/74HC125DB_ic.htm 0
2008-7-24 09:37:25　　评论淘帖0 举报相关推荐 • TPS1120DR的威廉希尔官方网站参数 5238 • TPS7248QP的威廉希尔官方网站参数 4001 • TPS7248QP的威廉希尔官方网站参数 3640 • TPS62020DGQ的威廉希尔官方网站参数 3205 • NCP1583DR2G的威廉希尔官方网站参数 3557 • MC33161DR2G的威廉希尔官方网站参数 3802 • 小型DR平板透视仪的威廉希尔官方网站参数和功能应用分析 3478 • PCB制板威廉希尔官方网站参数 1656 • 海尔空调威廉希尔官方网站参数 8545 • 微型电机的威廉希尔官方网站参数 1918 1 个讨论