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40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!

2025-1-22 10:43:28 593 碳化硅MOSFET

0 BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET系列产品，B3M040065H,B3M040065L,B3M040065Z高性能，高可靠性和易用性，高性价比，同时提供驱动电源和驱动IC解决方案！附件：BASiC-B3M040065H_Rev_0_0.pdf 附件：BASiC-B3M040065L_Rev_0_0.pdf *附件：BASiC-B3M040065Z_Rev_0_0.pdf 0 本主题由 dianzi_0101 于 2025-1-22 10:51 审核通过
举报淘帖0 只看该作者相关推荐 • 什么是MOSFET栅极氧化层？如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性？ 1795 • 图腾柱无桥PFC中混合碳化硅分立器件的应用 1493 • 浅谈硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别 1993 • 碳化硅SiC威廉希尔官方网站导入应用的最大痛点 1157 • 被称为第三代半导体材料的碳化硅有着哪些特点 2672 • 传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN) 5562 • 650V/1200V碳化硅肖特基二极管如何选型 2302 • 碳化硅半导体器件有哪些？ 3401 • 如何用碳化硅(SiC)MOSFET设计一个高性能门极驱动电路 11171 • 基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC谐振隔离DC/DC变换器方案研究 8225 1条评论发表评论只看该作者

杨茜 · 2025-1-22 12:13:27 沙发为什么BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET可以替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN？温度对SiC MOSFET输出电流特性的影响小于超结SJ-MOSFET，SiC MOSFET在高温下依然保持较低的导通损耗，而在使用超结SJ-MOSFET需要特别关注RDS(ON)上升对散热的要求。SiC MOSFET的Ciss（输入电容）明显小于SJ-MOSFET，SiC MOSFET的关断延时会明显小。SiC MOSFET的Qg明显小于SJ-MOSFET，这表明SiC MOSFET的驱动能量明显更小，同时可以看到SiC MOSFET的米勒平台更小，而SJ-MOSFET有明显的米勒平台，因此SiC MOSFET更适用于高频率的开关。相对碳化硅SiC MOSFET的驱动成熟可靠。GaN的驱动电路面临着高频响应、电压应力、热稳定性等挑战。特别是硬开关长时间续流的情况下，GaN的反向电流能力急剧下降，所以不得不选用更大余量的GaN器件，相对成熟且成本持续下降的的SiC MOSFET，GaN器件性价比进一步恶化。随着设备和工艺能力的推进，更小的元胞尺寸、更低的比导通电阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是SiC碳化硅MOSFET威廉希尔官方网站的主要发展方向，体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。

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