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第二章对芯片制造过程有详细介绍,通过这张能对芯片制造过程有个全面的了解 首先分为前道工序和后道工序 前道工序也称扩散工艺,占80%工作量,进一步分为基板工艺和布线工艺。包括:沉积工艺,光刻工艺,蚀刻工艺,离子注入工艺,化学机械抛光,清洗工艺,晶圆检验工艺。 后道工序包括组装工艺,检验分拣工艺 书中的示意图很形象 ![]() 然后书中用大量示意图介绍了基板工艺和布线工艺 看到这个示意图甚至都有了手搓一个MOS管的冲动。 基板工艺示意如下 ![]() ![]() 布线工艺示意如下 ![]() 2.5介绍了晶圆,对11个9的纯度,以及相当于棒球体育场大小时不到1mm的粗糙度,这两个数据有了更深的印象。 ![]() 然后介绍了薄膜形成方法 热氧化 化学气相沉积 物理气相沉积 电镀 并且都有示意图介绍,很形象 ![]() ![]() ![]() ![]() 然后介绍了电路图案的光刻 光刻胶涂抹(正性光刻胶去除曝光部分,负性光刻胶去除未曝光部分)->预烘烤->曝光->显影 ![]() 提到了一个公式R=kλ/NA 即分辨率正比于波长λ 然后介绍了蚀刻工艺的形状加工,加工材料薄膜 干法蚀刻和湿法蚀刻 ![]() ![]() 接着介绍参杂方法,热扩散和离子注入 ![]() ![]() 接着介绍了热处理工艺 压入,回流,硅化,激活,交界面稳定化,合金 ![]() 接着介绍化学机械抛光工艺 CMP威廉希尔官方网站 和表面抛光威廉希尔官方网站 这个示意图可以看到,抛光时时晶圆朝下的,不是以为的晶圆朝上。 ![]() |
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