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1:SN74AVCH8T245 的ESD标准从Datasheet 7.2节可以查到其HBM标准为+-8KV,比之前的 hc244或者HC245等芯片2kV的ESD标准高很多,这是此芯片特有特性吗?如果此芯片用于JTAG,有推荐的ti ESD器件吗?
2:SN74AVCH8T245 的pin 2引脚DIR Datasheet要求其上拉至VCCA,其上拉电阻取值是多少?可以直接通过0R上拉吗? 3:SN74AVCH8T245 工作在VCCA=3.3V VCCB=1.5V 数据速率30Mbps 8端口同时使用,方向固定由A到B,其静态和动态的总工作电流或者功耗是多少?我们需求根据此参数评估电源树设计。 |
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2个回答
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您好, |
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1. SN74AVCH8T245的ESD标准确实比HC244或HC245等芯片的ESD标准高很多。这是因为SN74AVCH8T245采用了更先进的工艺威廉希尔官方网站
,从而提高了其ESD性能。关于TI推荐的ESD器件,您可以查阅TI的ESD保护器件产品目录,选择适合您需求的ESD保护器件。
2. SN74AVCH8T245的pin 2引脚DIR需要上拉至VCCA。关于上拉电阻的取值,Datasheet中没有明确给出具体值。通常情况下,上拉电阻的取值取决于信号线的长度和负载。您可以尝试使用0R上拉,但需要注意信号线的长度和负载,以确保信号稳定。如果信号不稳定,您可以尝试增加上拉电阻的值。 3. SN74AVCH8T245在VCCA=3.3V,VCCB=1.5V,数据速率30Mbps,8端口同时使用,方向固定由A到B的情况下,其静态和动态的总工作电流或功耗可以通过以下公式计算: 静态功耗(Iq)= (VCCA + VCCB) * Iq(静态) 动态功耗(Id)= (VCCA + VCCB) * Id(动态) * f 其中,Iq(静态)和Id(动态)分别为SN74AVCH8T245在静态和动态状态下的功耗,f为数据速率。您可以查阅Datasheet中的功耗参数表,找到相应的Iq(静态)和Id(动态)值,然后代入公式计算总功耗。 请注意,这些计算结果仅供参考,实际功耗可能会因具体应用和环境而有所不同。建议您在实际应用中进行测试,以确保电源树设计满足您的需求。 |
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