[问答]

STM32H750片内flash对同一flash地址做二次修改出错是哪里的问题？

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 各位大佬好，又是我，是的，我在H750的flash里游不出去了…… 下面详细介绍我的使用方法和出现的问题：我在程序里面拟定在片内flash地址0x08001000~0x0800101F(32bytes, 256bits)写一个uint64_t pData[4] = {0x1020304050607080, 0x0102030405060708, 0x1112131415161718, 0x1213141516171819};然后将pData[0] = 0x2122232425262728, 再将数组pData[4]写到0x08001000~0x0800101F，然后flash就挂掉了。当然，在写操作中是执行了擦除操作的。我的写操作流程是：unlock_bank1-->erase sector0-->program 256bits-->lock_bank1 如果这个数组的值不变，那么我可以写任意次；一旦这个数组的值发生了变化，那么再次写入到同一flash地址空间就会理解挂掉。我不清楚是自己在写flash之后没有将片内flash的什么状态恢复，还是说我在数据发生变化后再次执行写操作的时候，擦除动作是将整个flash擦除掉了，还是flash处于某个状态导致了我写出错。所以我希望有遇到过这种问题的小伙伴和大佬们能够提供意见和帮助，也希望有官方威廉希尔官方网站支持能够验证一下提供方案，毕竟如果H750的片内flash只支持写一次的话，除了放一个bootloader外还有什么意义。望解，谢谢！ 0 本主题由 Harmony威廉希尔官方网站专家于 2024-4-23 14:36 审核通过
2024-4-23 06:16:19　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × heks 该类别下有 50 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 44 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 42 个回答。邀请回答 wang21cj 该类别下有 41 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 40 个回答。邀请回答 hjfjsdgfjdsf 该类别下有 37 个回答。邀请回答 fdjslkjd 该类别下有 35 个回答。邀请回答 uvysdfydad 该类别下有 35 个回答。邀请回答 werywer 该类别下有 35 个回答。邀请回答 h1654155957.9520 该类别下有 35 个回答。邀请回答 jenny042 该类别下有 34 个回答。邀请回答 dfzvzs 该类别下有 34 个回答。邀请回答维生素B2 该类别下有 34 个回答。邀请回答凤毛麟角该类别下有 34 个回答。邀请回答刘洋该类别下有 33 个回答。邀请回答 meihuacg 该类别下有 33 个回答。邀请回答 hfgdzc 该类别下有 33 个回答。邀请回答 ggfvxv 该类别下有 33 个回答。邀请回答 kpj3026 该类别下有 32 个回答。邀请回答江左盟该类别下有 32 个回答。邀请回答举报五斤麻辣油相关推荐 • STM32H750 QSPI读W25Q64出错是什么原因？ 587 • STM32H750 BootLoader如何重刷？ 310 • 如何在STUDIO下使用QSPI FLASH呢？ 707 • 求分享STm32H750的地址映射图 308 • STM32H750和H753的主要区别是什么？ 383 • 请问STM32H750(ART-Pi) + LAN8720速率为什么达不到100Mbps？ 4232 • STM32H750VBT6可以同时使用SDRAM，LDTC以及外挂QSPI FLASH吗？ 632 • 使用fal操作片内flash提示出错不知道是哪里的问题 607 • STM32H750 PWM怎么使用？ 714 • STM32的片内FLASH操作步骤 2246 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 首先，我们需要了解一下STM32H750的内部Flash特性。STM32H750的内部Flash分为多个扇区，每个扇区的大小为128KB。在进行Flash编程时，需要确保操作的地址范围在同一个扇区内。根据您提供的信息，您尝试在地址0x08001000至0x0800101F（32字节，256位）之间修改数据。这个地址范围位于同一个扇区内，因此理论上应该可以进行修改。然而，您提到在进行第二次修改时Flash出现了问题。这可能是由以下几个原因导致的： 1. 擦除操作不成功：在进行Flash编程之前，需要确保目标地址已被正确擦除。如果擦除操作失败，可能会导致写入操作出错。请检查您的擦除操作是否正确执行。 2. 写入操作不成功：在进行Flash编程时，需要确保写入操作正确执行。请检查您的写入操作是否正确执行。 3. 中断问题：在进行Flash编程时，如果中断发生，可能会导致写入操作出错。请确保在进行Flash编程期间，关闭所有不必要的中断。 4. 电源问题：Flash编程对电源稳定性要求较高。如果电源不稳定，可能会导致写入操作出错。请确保您的电源供应稳定。 5. 代码问题：请检查您的代码逻辑，确保在进行第二次修改时，地址和数据都正确无误。为了解决这个问题，您可以尝试以下步骤： 1. 仔细检查您的擦除和写入操作代码，确保它们正确执行。 2. 在进行Flash编程期间，关闭所有不必要的中断。 3. 确保您的电源供应稳定。 4. 检查您的代码逻辑，确保在进行第二次修改时，地址和数据都正确无误。 5. 如果问题仍然存在，您可以尝试使用STM32CubeMX工具生成Flash编程代码，以确保操作的正确性。希望这些建议能帮助您解决问题。如果您需要进一步的帮助，请提供更多关于您的代码和操作的详细信息。

2024-5-10 17:58:48 评论举报神之小风