[问答]

STM32G系列ECC校验错误，进入NMI中断后如何处理？

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 请教一下，目前我们有用STM32G0B1VE系列的芯片，由于应用需求，在机器开机时，会有大约2个page的flash操作。但是在做上下电测试时，经常会发现，在测试的过程中，会造成整台机器变成砖头，断电重启无法恢复。经过一系列的排查，应该是由于在上下电的过程中，Flash数据更新的过程中，造成ECC未写入，造成最终读Flash时，ECC错误，造成了NMI中断。。由于G系列比较新，我们只是搜到了一片CSDN上的老兄有遇到过相同的情况。除了将Flash擦除，重写之外，是否还有其他解决的方式？另外，查看芯片手册，针对FLASH_ECCR的描述，似乎有误。。在手册里，针对FLASH_ECCR->ADDR_ECC的描述，应该是该地址乘以8，应该就是Flash ECC错误的地方。但是ADDR_ECC只有14bit，乘以8也就17bit，总共为128KB。但是我们用的G0B1VE是两个Bank，每个Bank为256KB，所以，文档这里是否描述有误？个人觉得，手册是不是针对128KB/Bank的型号所做的？ 0 本主题由 Harmony威廉希尔官方网站专家于 2024-3-29 15:58 审核通过
2024-3-29 07:43:01　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × heks 该类别下有 50 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 44 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 42 个回答。邀请回答 wang21cj 该类别下有 41 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 40 个回答。邀请回答 hjfjsdgfjdsf 该类别下有 37 个回答。邀请回答 uvysdfydad 该类别下有 35 个回答。邀请回答 fdjslkjd 该类别下有 35 个回答。邀请回答 werywer 该类别下有 35 个回答。邀请回答 h1654155957.9520 该类别下有 35 个回答。邀请回答 jenny042 该类别下有 34 个回答。邀请回答 dfzvzs 该类别下有 34 个回答。邀请回答维生素B2 该类别下有 34 个回答。邀请回答凤毛麟角该类别下有 34 个回答。邀请回答 meihuacg 该类别下有 33 个回答。邀请回答 hfgdzc 该类别下有 33 个回答。邀请回答 ggfvxv 该类别下有 33 个回答。邀请回答刘洋该类别下有 33 个回答。邀请回答江左盟该类别下有 32 个回答。邀请回答爱与友人该类别下有 32 个回答。邀请回答举报王锦霞相关推荐 • 请问TrueSTUDIO是否支持STM32G系列处理器？ 188 • 外部外部时钟失效后进入NMI中断后为什么会进行整机重启？ 2508 • 如何用STM32G系列做SDIO？ 261 • STM32进入串口空闲中断后系统调度错误 2062 • STM32G可以替代STM32F吗？需要考虑哪些因素？ 503 • 如何确认TLE987x中的NMI中断是否正常工作？ 296 • STM32G030死机是什么原因导致的？ 499 • 请问一下M451系列进入UART中断后，要像C51那样手动清除中断标志吗？ 459 • 怎样在STM32cubeIDE中新建一个带hal库的空工程呢 1152 • 当外部芯片触发Aurix的NMI时，需要手动写中断服务函数对NMI进行处理吗？ 247 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 第一个问题，当出现ECC错误时会触发NMI中断，的确会这样,这点在手册中也明确出来了。你期望有针对FLASH进行重写的其它办法，目前没有。至于你提到的第二个问题，你看得很仔细。认同你关于这点的分析，初步怀疑是手册在这个地方是基于128KB BANK的型号来描述的。首先,STM32G0系列里面，1个BANK有128KB的，也有256KB的。具体到你现在的STM32G0B1，它的1个BANK是256KB. 其中，FLASH_ECCR和FLASH_ECCR2 分别存放对应于BANK1和BANK2里ECC出错的双字地址。这样的话，FLASH_ECCR里存放地址偏移量的位宽为14的确不满足256KB存储空间的用于记录ECC出错的偏移地址所需宽度了。关于这点，我们继续跟踪之。

2024-3-29 15:54:19 评论举报陈丹丽