[经验]

STM32G030C8T6上电启动时间是如何影响HSE工作的？

2024-3-28 09:04:58

313 stm32g030 HSE

使用STM32G030C8T6过程中，发现给单片机供电的上电启动时间会影响单片机HSE的工作，上电时间长，HSE不工作，上电时间短时则HSE可以工作。
我的问题：
1、给STM32G030C8T6供电的上电启动时间会影响STM32G030C8T6的什么地方从而使HSE不能正常工作？真正的原因是什么？
2、有没有什么方法可以实现电路板的小改动来解决目前的问题？
3、如果STM32G030的HSE工作真的会受启动时间影响，在选择供电芯片时应该注意哪些参数？
4、有没有什么其他影响HSE工作的因素？
具体描述如下：
1、我的原理图：

GND与DGND通过一个0R电阻连接
2、程序
程序用STM32CubeMX配置生成。
3、现象
当使用CUBE将PLL配置为HSI时，程序可以正常运行，但是将PLL配置为HSE时，程序会在执行SystemClock_Config();函数过程中卡在下图的223行。

进一步查看，程序卡在stm32g0xx_hal_rcc.c的第356行，如下图。

用示波器查看外部的有源晶振波形，显示波形正常。
将与单片机有连接的其他芯片全部拆除，只保留单片机最小系统，经过多次试验，发现与TPS5410的上电时间长有关系，将TPS5410替换为TPS54332之后，在仿真时SystemClock_Config();函数可正常运行，TPS54332的电路图如下图，在试验时，已经将TPS54332的输出电压根据试验需要改为5.2V或6V。

原电路图TPS5410上电启动波形如下图:

原电路图LM1117 3.3V上电启动波形如下图：

TPS54332上电启动波形（图中黄色波形）：

将TPS5410替换成TPS54332后，LM1117  3.3V的上电启动波形：

4、进一步的试验：
为了排除LM1117  LDO的影响因素，将LM1117替换为同封装不同型号的其他3.3V固定输出芯片，共替换了5片，现场均与上述描述一致，HSE不工作。
为了排除LP38692  LDO的影响因素，将TPS5410电路更改为输出5.2V，直接用TPS5410给LM1117供电，现象与上述描述一致，HSE不工作。
用TPS54332给TPS73701供电，再用TPS73701给STM32G030供电，HSE可正常工作。
…………类似试验得出的结论是：只要用到TPS5410  HSE就不能正常工作，猜测与上电启动时间长有关。
为了验证是否真的与上电时长有关，用TPS54332直接给LM1117供电来试验。通过更改TPS54332的4脚SS处连接的电容容值来更改TPS54332启动时长。原来的原理图中用的电容是8.2nF,根据下图公式得出启动时间是3.28ms，实际测得的约4ms。

电容值为8.2nF时（HSE工作正常）：
TPS54332启动波形（图中黄色线）：

LM1117启动波形（图中黄色线）：

将电容改为22nf（HSE工作不正常）：
TPS54332启动波形（图中黄色线）：

LM1117启动波形（图中黄色线）：

将电容改为6.8nf（HSE工作正常）：
TPS54332启动波形（图中黄色线）：

LM1117启动波形（图中黄色线）：

此外，还将容值改为了15nf（HSE工作不正常）、10nf（HSE工作不正常）、5.6nf（HSE工作正常）、3.3nf（HSE工作正常），还试验了其他LDO。
结论：LDO的上电启动时间小于2ms时，STM32G030的HSE可正常配置，可正常工作。

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