[问答]

H743用FMC扩展内存一次写操作出现4次写使能是为什么？

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 H74XI的SRAM扩展内存16位的数据位，执行一次写操作，观察电平发现使能了4次写使能，求解为什么？如何修改？ 0 本主题由 Harmony威廉希尔官方网站专家于 2024-3-28 14:40 审核通过
2024-3-28 07:04:35　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × heks 该类别下有 50 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 44 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 42 个回答。邀请回答 wang21cj 该类别下有 41 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 40 个回答。邀请回答 hjfjsdgfjdsf 该类别下有 37 个回答。邀请回答 werywer 该类别下有 35 个回答。邀请回答 h1654155957.9520 该类别下有 35 个回答。邀请回答 uvysdfydad 该类别下有 35 个回答。邀请回答 fdjslkjd 该类别下有 35 个回答。邀请回答维生素B2 该类别下有 34 个回答。邀请回答凤毛麟角该类别下有 34 个回答。邀请回答 jenny042 该类别下有 34 个回答。邀请回答 dfzvzs 该类别下有 34 个回答。邀请回答刘洋该类别下有 33 个回答。邀请回答 meihuacg 该类别下有 33 个回答。邀请回答 hfgdzc 该类别下有 33 个回答。邀请回答 ggfvxv 该类别下有 33 个回答。邀请回答河南顺之航该类别下有 32 个回答。邀请回答 wenminglang 该类别下有 32 个回答。邀请回答举报王秀兰相关推荐 • STM32H743II如何避免bitbanging LCD信号或改变硬件设计？ 269 • H743 FMC读写外部内存会导致中断响应延时，该问题是否有优化方法？ 255 • stm32h743 GPIO输出运行速度低于时钟频率的原因？ 385 • 为什么STM32H743的DMA中断不起作用？ 395 • NUC029 FLASH数据不能保存怎么解决？ 346 • H743芯片读写FMC接口对中断响应会造成tim1延迟，是什么原因导致的？ 215 • 请问STM32H753是STM32H743的直接替代品吗？ 1160 • 请问pic12c508a能烧写多少次 2926 • 写的一个扩展串口的程序，发多字节，点三次发送才收到... 3103 • 6678 srio写操作时字节对齐问题 2745 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 出现4次写使能的原因是FMC的写操作需要进行预充电和关闭操作。在FMC的写操作中，首先需要进行预充电操作，将数据写入FIFO缓冲区，并将写使能信号进行一次使能。然后，需要进行关闭操作，将数据从FIFO缓冲区写入SRAM存储器，并将写使能信号进行一次使能。最后，需要进行两次关闭操作，分别将写使能信号进行两次禁能。因此，一次写操作会触发4次写使能信号的改变。要修改这种情况，可以使用FIFO缓冲区来存储写入的数据，然后再将数据一次性写入SRAM存储器，从而减少写使能信号的改变次数。

2024-3-28 17:18:49 评论举报听我讲