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设计防反接电路可以使用场效应管（FET）来实现。下面是使用N沟道MOSFET（N-MOSFET）和P沟道MOSFET（P-MOSFET）的两种不同连接方式：
1. 使用N-MOSFET进行防反接设计： 将N-MOSFET的源极连接到电源的负极，漏极连接到电池的正极，栅极接入一个负压电路（如一个二极管）和电池的负极。这样，当电源连接正确时，负压电路不会使N-MOSFET开启，所以电流能够正常通过N-MOSFET流入马达。但是，当电源反接时，负压电路将会使N-MOSFET开启，将正极与负极连接起来，以防止电流正向流动，从而达到防反接的目的。 2. 使用P-MOSFET进行防反接设计： 将P-MOSFET的源极连接到电源的正极，漏极连接到电池的正极，栅极接入一个正压电路（如一个二极管）和电池的负极。当电源连接正确时，正压电路不会使P-MOSFET开启，电流能够正常通过P-MOSFET流入马达。但是，当电源反接时，正压电路将会使P-MOSFET开启，将正极与负极连接起来，以防止电流正向流动，从而达到防反接的目的。 以上两种方式都能够有效防止电池的正极和马达的正极相连。具体选择哪种方式要根据设计中其他参数和具体需求来决定。 |
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依据你画的电路图：比较难。第一：电池电压是1.5V， 控制电压低于1.5V的P-MOSFET管很难找。第二：P-MOSFET管导通之后，也有压降，加在电机两端的电压小于1.5V，会影响工作的。另外，图中Q1 NPN管的基极接地，Q1不工作，为什么这样设计？
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直接加一个肖特基二极管吧。再根据你的电流加一个自恢复保险丝。但是电池的电流有很小，电池电流多大的你的测试。比如1.5V电池，拉载多大电流会压降到1.3V
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A12_3的VCC脚在电池正接时没有电，npn没有导通
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