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看了关于能带隙基准源的的介绍,其原理是利用了正温度系数的电压产生器和具有负温度系数的电压,从而得到具有零温度系数的基准电压。 第一张图是基本原理图,用左边电流控制右边电流,但是书上说左右两个晶体管的电流之比为10:1,但是控制不应该是以小控大吗,控制电流应该比输出电流要大才对,这是一个不明白的点。而且他的基准电流是怎么来的?即控制量电流。 |
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2个回答
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可以实际搭接电路试试看就可以全部知道了,这个电路很简单的,只是采用正负温度系数的半导体控制,试试看吧.
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大,最终输出作为基准电压。这个基准电压会通过负反馈控制电路使得输入信号与输出电压保持稳定。
右边的晶体管因为具有负温度系数,也就是随着温度升高,其导电能力会减弱。而左边的晶体管控制电流大于输出电流,这样就可以通过调节左边晶体管的控制电流来控制右边晶体管的输出电流,实现对输出电压的控制。因为左边晶体管的电流控制要比右边晶体管的电流大,所以左边晶体管是控制电流。 基准电流是通过控制电流产生的,控制电流通过调节左边晶体管的输入电流得到。这样,通过调节控制电流的大小,就可以控制输出电流的大小从而得到基准电流。 晶体管的负温度系数指的是晶体管导电能力随温度升高而减弱的特性。其具体原理是晶体管中的导电载流子随着温度升高而增加,但是受到晶格振动的影响,它们的平均自由程减小,从而导致整个晶体管的电导率减小。 要求电阻和发射结的总电压达到硅管的能带隙电压是为了保证整个电路在一个特定的工作温度下具有零温度系数。能带隙电压是指半导体材料中禁带与导带之间的能量差,它是半导体的重要特性之一。在这个特定的电压下,电阻和发射结的电阻值可以抵消晶体管的负温度系数,从而实现整个电路的零温度系数。 在第二张图中,基准源的输入信号是通过运放的正相输入端输入的。输入信号通过R3和三极管Q1镜像电流控制来产生控制电流。控制电流经过被控制三极管产生放大电流,该放大电流在R2上产生压降,最终在三极管Q3上形成输出电流。输出电流经过电阻产生压降,最终输出作为基准电压。所以基准源的输入信号是通过运放的正相输入端输入的,它控制着整个基准源的输出电压。 |
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