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我目前在做TC3XX底层代码优化,经过之前多次测试目前可以确定该系列芯片对单个寄存器地址的读写耗时超过100us。请问对于寄存器读写耗时你们官方有没有确切的文件说明?还有就是既然寄存器读写时间那么长100M的外设总线时钟是否有意义?
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1个回答
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针对TC3XX寄存器读写时间长的问题,可以尝试以下几个方向进行优化:
1. 使用优化的读写操作: - 尽量使用单次读写操作,避免多次读写同一个寄存器。 - 使用位操作来读写寄存器中的特定位,而不是整个寄存器。 2. 查看硬件手册: - 查阅芯片的官方威廉希尔官方网站 手册,查看寄存器读写操作的精确时间信息。通常,这些信息可以在寄存器描述中找到。 3. 考虑外设总线时钟的影响: - 如果寄存器读写时间长是由于外设总线时钟频率低造成的,可以尝试提高外设总线时钟频率来加快读写操作。 4. 尽量减少寄存器读写操作: - 在代码中尽可能减少寄存器读写操作的次数,通过合并读写操作或者缓存寄存器的值来减少读写次数。 请注意,具体的优化方法还需要根据具体的硬件和应用场景进行调试和测试,这里提供的是一些常用的优化思路。同时,官方威廉希尔官方网站 手册通常是最可靠和准确的信息来源,建议您详细查阅相应的文档来获取确切的寄存器读写时间信息。 |
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