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半导体放电管是一种采用半导体工艺制成的PNPN结四层结构器件,其伏安特性与晶闸管类似,具有典型的开关特性。当浪涌电压超过转折的电压VBO时,器件被导通,这时它呈现一般PN结二极管的正向电压降(VF)和等效的导通电压(VT)特性,被保护电路上仅施加相当于导通电压的电压值(只有几伏)。当浪涌流过后,电流慢慢减少到维持电流(IH)水平以下,此时器件关闭,工作点又回到原来位置,被保护电路流过正常电压。
这种器件有如下特点: (1)器件的直流放电开启电压(Vs)与响应时间(s)的关键基本上不随涌电压上升率的增加而增加。 (2)该器件经反复浪涌后其流放电开启电压基本上保持不变。 (3)浪涌电流增加时,该器件的直流放电开启电压基本保持不变。 (4)该器件经反复浪涌后其转折电压基本保持不变。 另外,该器件还具有响应速率快、不需多级防护电路、耐电流量大、静电容量小的可靠性高等优点,特别适用于电信工业防护雷电浪涌。 |
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