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CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高迁移率晶体管(HEMT)与其他威廉希尔官方网站
相比,CGHV96130F内部适应(IM)FET具有出色的功率附加效率。与砷化镓相比,GaN具有更好的性能;包括更高的击穿场强;更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与GaAs晶体管相比,GaN HEMT还具有更高的功率密度和更宽的带宽。CGHV96130F使用金属/陶瓷法兰封装可以实现最佳的电气和热稳定性。 特征 166WPOUT(典型值) 7.5dB功率增益值 42%典型PAE 50Ω内部适配 <0.3dB功率下降 产品规格 描述:130瓦;8.4-9.6GHz;50Ω;主要用于X波段雷达应用的输入/输出适配GaNHEMT 最小频率(MHz):8400 最大频率(MHz):9600 最高值输出功率(W):130 效率(%):42 额定电压(V):40 |
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