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介绍
本编程手册介绍了如何对STM32F101xx的闪存进行编程,STM32F102xx、STM32F103xx、STM312F105xx和STM32F107xx微控制器。对于方便起见,在本文件的其余部分中,这些将被称为STM32F10xxx,除非另有规定。 STM32F10xxx嵌入式闪存可以使用电路内编程编程或应用程序编程。 电路内编程(ICP)方法用于更新闪存,使用JTAG、SWD协议或引导加载程序加载用户应用程序进入微控制器。ICP提供快速高效的设计迭代,消除了不必要的包装处理或设备的插槽。与ICP方法不同,应用程序内编程(IAP)可以使用任何微控制器支持的通信接口(I/O、USB、CAN、UART、I2C、SPI、,等等)以将编程数据下载到存储器中。IAP允许用户对应用程序运行时的闪存。尽管如此,部分申请必须已使用ICP预先编程在闪存中。 Flash接口实现基于AHB的指令访问和数据访问协议它实现了一个预取缓冲区,可以加快CPU代码的执行速度。它还 实现执行闪存操作(编程/擦除)所需的逻辑。 编程/擦除操作可以在整个产品电压范围内执行。 还实现了读/写保护和选项字节。
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