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氮化镓(GaN)- 宽带隙(WBG)材料• GaN HEMT-高电子迁移率晶体管,代表着电力电子威廉希尔官方网站
的重大进步• 用于更高的工作频率• 提高效率• 与硅基晶体管相比,功率密度更高
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