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闪烁噪声,也称为1/f噪声,是由于导体接触点电导的随机涨落引起的。在低频区域,这种噪声功率谱密度与频率成反比,因此,它对电路的影响可能更加显著。
在RF振荡器中,闪烁噪声尤其可能占主导地位。这可能会对MOSFET的频率稳定性、相位噪声和总体性能产生负面影响。在振荡器中,闪烁噪声本身表现为靠近载波的边带,其他形式的噪声从载波延伸出来,频谱更平坦。随着与载波的偏移量的增加,闪烁噪声会逐渐衰减,直到平坦的白噪声占主导地位。
总的来说,闪烁噪声可能对MOSFET的频率稳定性、相位噪声、总体性能等产生负面影响。然而,具体的性能影响会取决于噪声的强度以及器件和电路的其他具体设计参数。
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