英飞凌双IGBT驱动IC 2ED020I06-FI

2023-8-24 18:21:45 3287

0 2ED020I06-FI是一款高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有联锁高侧和低侧参考输出。浮动高侧驱动器可以直接供电，也可以通过二极管和电容供电。除了每个驱动器的逻辑输入外，2ED020I06-FI还配备了专用的停机输入。所有逻辑输入兼容3.3 V和5 V TTL。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小的驱动器交叉传导。传播延迟匹配，以简化在高频应用中的使用。这两种驱动器都设计用于驱动N通道功率MOSFET或IGBT，其工作电压最高可达650V。特性 •650V无芯变压器隔离驱动器IC •轨到轨输出 •保护功能 •浮动高侧驱动 •双通道欠压锁定 •3.3V和5V TTL兼容输入优势 •节省空间的封装 •快速和坚固的设计 •改善效能 •符合RoHS标准应用 •电机控制与驱动 •太阳能系统的解决方案 •工业焊接 •不间断电源(UPS) 0
2023-8-24 18:21:45　　评论淘帖0 举报相关推荐 • 英飞凌IGBT驱动芯片2ED020I12F2去饱和电路设计总结 8 • 基于1ED020I12FTA芯片的IGBT驱动电路研究 142 • 英飞凌1ED020I12FA芯片的DESAT引脚电压有问题 4968 • 关于驱动芯片1ed020i12f2的问题 10450 • 英飞凌6ed003L02驱动芯片 3692 • 基于2ED300C17-S的IGBT驱动电路研究 91 • 1ED020I12FA2和HP-drive出现的严重问题：CLAMP引脚和VEE2短路 7258 • 英飞凌IGBT驱动保护培训资料 197 • 供应英飞凌IGBT 2384 • 英飞凌IGBT 1651