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1. 看了V1.04的芯片手册,但是没看到 芯片内部带隙电压的出厂校准值 的存储地址, 请问如何读出带隙电压值?
2. 我将芯片内存存储器都用作APROM区,请问我将最后1K区域当做EEPROM来存储参数,要如何操作? 这个内部APROM区域大概可以重复写入多少次内? |
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1个回答
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1. 在N76E616的芯片手册中,关于带隙校准值的信息可以在第7.2节“内部高精度时钟”中找到。具体来说,您需要读取SFR寄存器ACC的值,并通过以下公式计算出带隙电压值:Vbandgap = (VDD / 2^12) * ACC。其中VDD是芯片的供电电压。
2. 如果您想将最后1K区域用作EEPROM来存储参数,您可以通过以下方式进行操作:首先,您需要将这1K区域设置为数据闪存DFLASH。然后,您可以使用IAP指令来进行读取和写入操作。例如,您可以使用IAP指令中的APROM擦除指令来清除该区域中的数据,然后使用IAP中的EEPROM编程指令来写入需要存储的参数数据。当编程完成后,您可以使用IAP中的EEPROM读取指令来读回存储的参数数据。 关于APROM区域的可重复写入次数,N76E616的规格书建议最大5000次。 |
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