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M451中的Flash写入寿命通常是在10万次左右,无法实现100万次的写入寿命。为了实现高写入寿命,可以采用以下机制:
1.使用EEPROM代替Flash进行数据保存,EEPROM的写入寿命可以高达100万次以上。 2.采用 wear-leveling 威廉希尔官方网站 ,在多个Flash页面之间平衡写入次数,延长Flash的写入寿命。 3.使用Flash芯片提供的ECC(错误检测与纠正)功能,提高Flash数据的可靠性和稳定性。 对于例程,可以参考M451的官方资料和开发工具,如M451系列MCU库函数手册、U-Link2调试器、Keil MDK等。 |
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