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本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管，设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子和势垒高度的不变性在GeneSiC二极管上测量理论理查德森常数被提取出来。这些结果表明肖特基是稳健的用于在GeneSiC设计和制造肖特基二极管的表面制备程序;在金属-半导体界面处产生均匀的势垒高度空间分布
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