用ML51内部晶振，需要得到11.0592MHz，怎么修正？

214 晶振

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 1、有新唐威廉希尔官方网站支持一下，用ML51内部晶振，需要得到11.0592MHz，怎么修正？手册中只是提到分频时钟除频下面是系统频率FSYS 计算公式当 CKDIV = 00H时, SYS OSC F = F 当 CKDIV = 01H ~FFH时. 2× CKDIV CKDIV = 0x01时应该是12MHz，但是运行发现，并没分频， 2、掉电存储开始地址怎么确定，必须是0X3900吗 #define ADDR_BASE 0x3900 #define FLASH_L_LOW ADDR_BASE+1 #define FLASH_L_HIGH ADDR_BASE+2 #define FLASH_H_LOW 那是不 ADDR_BASE+3 #define FLASH_H_HIGH ADDR_BASE+4 0
2023-6-16 08:12:51　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × ChristineGu 该类别下有 16 个回答。邀请回答 HengDu 该类别下有 16 个回答。邀请回答 heks 该类别下有 16 个回答。邀请回答 dfasda 该类别下有 15 个回答。邀请回答 nhonglan 该类别下有 15 个回答。邀请回答 yonglanzhang 该类别下有 15 个回答。邀请回答杀狼000 该类别下有 14 个回答。邀请回答 wenminglang 该类别下有 14 个回答。邀请回答 C880U 该类别下有 14 个回答。邀请回答 jhdfvs 该类别下有 14 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 14 个回答。邀请回答 muwersddg 该类别下有 14 个回答。邀请回答 thyysbk 该类别下有 13 个回答。邀请回答凡人wlj 该类别下有 13 个回答。邀请回答 kszdj113 该类别下有 13 个回答。邀请回答飞雪9366 该类别下有 13 个回答。邀请回答 billbian 该类别下有 13 个回答。邀请回答 a732538 该类别下有 13 个回答。邀请回答 hrtuoyu 该类别下有 13 个回答。邀请回答 hfgdzc 该类别下有 13 个回答。邀请回答举报杨万富相关推荐 • 请问11.0592MHZ晶振跟51单片机有什么关系？ 3072 • 为什么51单片机爱用11.0592MHZ晶振？ 4618 • 51单片机的晶振为什么经常用11.0592MHz的? 265 • 单片机外接11.0592mhz的晶振问题 3658 • 单片机的晶振频率怎么选择？ 340 • 请问单片机晶振频率怎么选？ 1876 • 不准确的晶振频率对51单片机会造成什么影响 6097 • 有关51单片机晶振的常见问题有哪些？ 2053 • ML51必须使用有源晶振吗，参考开发板晶振到P5.2\\P5.3串联了两个电阻，也是必须的吗？ 670 • 51单片机中的晶振答疑(一) 5853 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 1. 修正ML51内部晶振的方法可以参考以下步骤： - 首先需要确定当前内部晶振的频率，可以使用定时器模块来测量，例如使用定时器1以1ms为间隔产生中断，然后在中断中累加计数器，每1000ms输出计数器值，就可以得到当前内部晶振的频率。 - 然后根据修正的目标频率（11.0592MHz），计算需要调整的倍频系数和除频系数，例如可以将倍频系数设置为2，除频系数设置为3，这样内部晶振的频率就变成了11.0592MHz。 - 最后根据内部晶振控制寄存器的相应位（例如SFR的CKCON寄存器）设置倍频和除频系数即可。 2. 控制存储器的开始地址可以选择任意可用的 Flash 存储器地址，不一定非要是0x3900。但是需要注意的是，控制存储器的地址需要与应用程序空间有一定的间隔，以免发生冲突。一般情况下将控制存储器的起始地址设置在0x3E00或更高的地址空间是比较稳妥的选择。

2024-1-18 15:30:12 评论举报王萍