氮化镓(GaN)功率芯片,将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上,能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化镓功率芯片,能令先进的电源转换拓扑结构,从学术概念和理论达到行业标准,成为落地量产设计的催化剂
氮化镓芯片是提高整个系统性能的关键,是创造出接近“理想开关”的电路构件,即一个能将最小能量的数字信号,转化为无损功率传输的电路构件。
纳微半导体利用横向650V eMode硅基氮化镓威廉希尔官方网站
,创造了专有的AllGaN™工艺设计套件(PDK),以实现集成氮化镓 FET、氮化镓驱动器,逻辑和保护功能于单芯片中。该芯片被封装到行业标准的、低寄生电感、低成本的 5×6mm 或 6×8mm QFN 封装中,用于交流电或400V 直流电的输入应用。
无论是“全桥”还是“半桥”电路设计,纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片都能够支持。GaNFast 氮化镓功率芯片具备适用性极强的功率范围和功能,能覆盖移动快速充电器,数据中心、消费市场、可再生能源和电动车/电动交通工具等市场,从几十瓦,到上千瓦的各种应用,这款功率芯片都能应付自如。
半桥电路是电力电子行业的基本拓扑结构,从智能手机充电器到电动汽车的所有领域,都具有适用性。高频开关可以让磁性元件和其他无源元件尺寸缩小,成本和重量因此大幅减少,同时能提供更快的充电体验。然而在半桥电路中,在这样高频率下向浮动的高压侧开关提供电源和信号,一直是业界无法实现的。因为硅器件的开关速度太慢,而且存在驱动器和 FET 之间的寄生阻抗、高电容硅 FET 以及性能不佳的电频转换器/隔离器,导致了硅器件无法做到更高的频率。氮化镓半桥电源芯片包含关键的驱动、逻辑、保护和电源功能,消除了传统半桥解决方案中相关的能量损失、成本过高和设计复杂的问题。
纳微推出的世界上首款氮化镓功率芯片同时能提供高频率和高效率,实现了电力电子领域的高速革命。
氮化镓功率芯片可以使充电器的充电速度提高 3 倍,但体积和重量只有传统硅器件充电器的一半。或者在不增加体积或重量的情况下,提高充电器 3 倍的充电功率。
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