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我们正在破坏 RT1170 evkit 上的一些性能测试,我们正在使用 dev_msc_ramdisk_bm_cm7 示例。由于存储缓冲区受内部 DTCM 大小的限制,我们希望将其移动到外部 SDRAM 上。我们找不到一种简单的方法来做到这一点。任何人都可以帮助我们吗?
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1个回答
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在 dev_msc_ramdisk_bm_cm7 示例中,存储缓冲区是通过定义缓冲区数组来实现的。您可以将该数组指针更改为指向 SDRAM。
以下是示例代码更改为将存储缓冲区移动到外部 SDRAM: 在 dev_msc_ramdisk_bm_cm7 示例中,找到以下代码段: ``` #define BUFFER_SIZE (4096U) #define BLOCK_SIZE (512U) static uint8_t s_diskWriteBuffer[BUFFER_SIZE]; static uint8_t s_diskReadBuffer[BUFFER_SIZE]; ``` 更改为: ``` #define BUFFER_SIZE (4096U) #define BLOCK_SIZE (512U) static uint8_t s_diskWriteBuffer[BUFFER_SIZE] __attribute__((section(".sdram"))); static uint8_t s_diskReadBuffer[BUFFER_SIZE] __attribute__((section(".sdram"))); ``` 使用 `__attribute__((section(".sdram")))` 将数组指定为位于 SDRAM 中的一个特定段。在修改后的代码中,缓冲区将被分配到 SDRAM 中。 请注意,使用 SDRAM 分配内存需要您在 sys_init() 函数中启用 SDRAM 控制器。如果您还没有这样做,请在启用 SDRAM 控制器后,进行此更改。 |
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