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MOS管的输入电阻很高是因为其输入端的门极是一个金属氧化物层（MOS）薄膜，相对于BJT（双极型晶体管）的PN结，MOS管的氧化层薄，所以输入电阻很高。具体来说，MOS管的输入电阻由金属氧化物层（MOS）的电容和漏电阻值组成。
MOS管的门极是一个金属氧化物层（MOS）薄膜，其输入电容很小，因此可以忽略。漏电阻值则取决于MOS管的工作状态和工作电压。在导通状态下，MOS管的漏电阻值很小，可以近似看作短路；而在截止状态下，MOS管的漏电阻值很大，可以近似看作开路。因此，当MOS管工作在截止状态下时，其输入电阻很高。 相对于BJT，MOS管的输入电阻很高具有以下优点： MOS管的输入电阻很高，使得其输入信号源驱动能力强，可以连接更多的负载。 MOS管的输入电阻很高，可以减少输入信号源的电流消耗，降低功耗。 MOS管的输入电阻很高，可以减少外部元器件的干扰，提高电路的抗干扰能力。 |
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通常MOS管又称为绝缘栅场效应管，顾名思义其栅极与被控导电沟道之间结构上是隔着一层二氧化硅绝缘层的，故输入电阻极高。
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