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1 个讨论
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漏源电压高到一定程度(其实就是预夹断之后),UGD的电压会呈现反压,也就是在反型层所在的沟道中出现空间电荷区,ID要从D到S,需要克服一段空间电荷区(耗尽层),这时候,MOSFET呈现得是一种放大状态。但如果UDS继续上升,空间电荷区继续扩张,会逐步挤占反型层的空间,直到反型层(其实反型层也是沟道的一部分)全部被挤占完毕,如果UDS继续上升,则会出现击穿,MOSFET就损坏了。
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求大神告知加热台的加热方式,是电阻丝加热吗?如果是请教一下具体的型号
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