图2 控制系统框图
(1)微控制器
主要功能是根据电动机旋转方向的要求和来自霍尔转子位置传感器的三个输出信号,将它们处理成功率驱动单元的六个功率开关器件所要求的驱动顺序。微控制器的另一个重要作用是根据电压、电流和转速等反馈模拟信号,以及随机发出的制动信号,经过AD变换和必要的运算后,借助内置的时钟信号产生一个带有上述各种信息的脉宽调制信号。
(2)功率驱动单元
主要包括功率开关器件组成的三相全桥逆变
电路和自举电路。自举电路由分立器件构成的,也可以采用专门的集成模块等高性能驱动集成电路。
(3)位置传感器
位置传感器在无刷直流电动机中起着测定转子磁极位置的作用,为逻辑开关电路提供正确的换相信息。
(4)周边辅助、保护电路
主要有电流采样电路、电压比较电路、过电流保护电路、调速信号和制动信号等输入电路。
三、功能和保护
控制器是无刷直流电动机正常运行并实现各种调速伺服功能的指挥中心,它主要完成以下功能:
(1)对转子位置检测器输出的信号、PWM调制信号、正反转和停车信号进行逻辑综合,为驱动电路提供各开关管的斩波信号和选
通信号,实现电机的正反转及停车控制。
(2)产生PWM调制信号,使电机的电压随给定速度信号而自动变化,实现电机开环调速。
(3)对电动机进行速度闭环调节和电流闭环调节,使系统具有较好的动态和静态性能。
(4)实现短路、过流、过电压和欠电压等故障保护电路。
1、无级调速
直流无刷电机的速度依靠电机相电压大小来调整,通过PWM脉宽调制来调节电机相电压。如图3。PWM的频率为15.6KHz。控制器控制方式采用电流(转矩)闭环控制,故PWM脉冲的宽度由调速转把电压、控制器输出电流、
电源电压、控制器温度等因素决定。
2.限流保护与过流保护
电流信号经康铜丝采样之后分两路,一路送至放大器,一路送至比较器。如图4。
放大器用来实时放大电流信号,放大后的信号提供给
单片机进行AD采样转换,单片机根据电流采样的结果实时调整PWM的占空比,实现电流闭环来控制电流不超过允许值。另一路信号送至比较器,正常时的电流绝对不会让该比较器翻转,当电流由于某种原因突然增大到一定程度,比如电机相间短路或一只MOSFET击穿时,该比较器翻转从而触发单片机的外部中断,单片机就会快速完全关断驱动进入保护状态,从而保护MOSFET,避免故障进一步扩大。
3.欠压保护
欠压保护这是针对蓄电池的保护动作,如果蓄电池过放电,将导致蓄电池的永久损坏。
当电源电压小于欠压保护电压时,控制器切断电机供电。欠压保护电压和蓄电池电压上升后恢复驱动这两个电压应有一定回差,比如48V电池欠压点在42V,而恢复供电点在45V,避免控制器频繁进入保护状态。
另外,当蓄电池电压接近欠压时,控制器会减小供给电机的电流,这在一方面可以提醒使用者电池处于亏欠状态,小电流放电避免了电池的损坏;另一方面还可以使整机继续跑动相当长的距离而不会经常进入保护状态。
4.刹车断电:控制器监测到刹车信号后关闭所有的驱动输出和PWM输出。
5.堵转保护
当电机堵转时,控制器电流始终通过同一组MOSFET,此时MOSFET损耗达到最大。为了防止电机发生堵转时MOSFET温度高而造成永久损害,必须采取相应的保护措施,通常是要在堵转发生之后数秒钟之内切断电机的供电。一般堵转保护时间是2-4秒。
另外,要注意的是有时电机虽然未发生堵转,但刚好在换相的临界点,此时会产生频繁的换相动作,这对MOSFET也是有害的,所以也是当作堵转来处理。
6.温度保护
温度保护是为降低控制器与电机温度的一种保护策略。 控制器MOSFET的功率损耗随着电机负载的加大而增加,当电机堵转时,控制器的MOSFET损耗达到最大。为了使控制器更加可靠,通常我们将MOSFET表面温度控制在120℃以下。通常我们采用良好的散热结构来解决控制器温升,但控制器会在比较恶劣的环境下工作,譬如,高温大负载等,此时控制器MOSFET表面温度会超过120℃。因此必须另外提供降温措施。
当MOSFET表面温度超过100℃时控制器开启温度保护功能逐步降低控制器输出功率的方法来控制MOSFET温度不超过120℃。