[问答]

用于PFC的碳化硅MOSFET介绍

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 碳化硅（SiC）等宽带隙威廉希尔官方网站为功率转换器设计人员开辟了一系列新的可能性。与现有的IGBT器件相比，SiC显著降低了导通和关断损耗，并改善了导通和二极管损耗。对其开关特性的仔细分析表明，SiC MOSFET几乎立即完全导通，而相比之下，IGBT显示出明显的斜率。这导致Eon能量损失大幅下降。在相同的实验室条件下操作快速开关IGBT和东芝TW070J120B SiC MOSFET表明，SiC MOSFET中的开关损耗为0.6 mJ。这大约是IGBT测量的2.5 mJ的四分之一。在每种情况下，均在 800 V、漏极/拉电流 10 A、环境温度 150 °C 和最佳栅极-发射极阈值电压下进行测试（图 1）。图1.与最新一代IGBT相比，TW070J120B SiC MOSFET的开关速度明显更快，可在功率转换器中提供更高的效率在 3 相 400 V PFC 中仿真，SiC MOSFET 的应用优势优于 IGBT。考虑到所有开关损耗、导通电阻相关传导损耗和内部二极管的正向电压损耗，基于 SiC MOSFET 的设计比基于 IGBT 的同类设计可节省约 66% 的损耗（图 2）。这种效率改进为设计人员提供了空间，如果设计为提供相同的功率，则可以减小其PFC设计的体积，或者在相同体积的设计中增加功率。图2.SiC MOSFET 采用 3 相 PFC 封装，与基于 IGBT 的设计相比，功耗降低了 66% TW070J120B 的集成二极管提供仅 -1.35 V（典型值）的出色正向电压（VDSF），对电流浪涌也非常可靠，可处理高达 72 A （TC = 25 °C）的电流脉冲。-10 V 至 25 V 栅极源极（VGSS）比竞争产品更宽，便于设计，而 4.2 至 5.8 V 的高栅极阈值（Vth）可防止由于栅极电压波动和噪声引起的意外开关。 0
2023-2-22 16:34:53　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × jf_50240986 该类别下有 36 个回答。邀请回答 DengQilong 该类别下有 5 个回答。邀请回答 jf_31371407 该类别下有 5 个回答。邀请回答 cllmxdsdo 该类别下有 4 个回答。邀请回答 CCCLLL 该类别下有 4 个回答。邀请回答 fgdfdzdg 该类别下有 4 个回答。邀请回答大洼球王该类别下有 4 个回答。邀请回答冰箱洗衣机该类别下有 4 个回答。邀请回答 zyh34997 该类别下有 4 个回答。邀请回答 shaorc 该类别下有 4 个回答。邀请回答杨肖该类别下有 3 个回答。邀请回答 tigerwang711 该类别下有 3 个回答。邀请回答小佳99 该类别下有 3 个回答。邀请回答张程明该类别下有 3 个回答。邀请回答张璧成该类别下有 3 个回答。邀请回答 dingyang598 该类别下有 3 个回答。邀请回答 qiangqzuo 该类别下有 3 个回答。邀请回答 yvochen 该类别下有 3 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 3 个回答。邀请回答小亮小亮小亮该类别下有 2 个回答。邀请回答举报李明相关推荐 • 什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？ 8441 • 碳化硅的历史与应用介绍 4288 • 碳化硅MOSFET的SCT怎么样？ 1750 • 碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了 5488 • 碳化硅半导体器件有哪些？ 3117 • 功率模块中的完整碳化硅性能怎么样？ 8671 • 请教碳化硅刻蚀工艺 41393 • 碳化硅如何改进开关电源转换器设计？ 10674 • 碳化硅MOSFET是如何制造的？如何驱动碳化硅场效应管？ 11786 • CISSOID碳化硅驱动芯片 3693