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晶体管是一个简单的元器件,有非常多的种类。最常见的两种晶体管应该要属双极型晶体管(三极管)和MOS管了吧,那它俩之间的区别是什么呢?先让我们再复习一下之前所说的: 三极管分为两种:NPN和PNP。 NPN是一个双极结晶体管(BJT),有三条腿,分别是:基极(b)、集电极(c)、发射极(e),NPN晶体管是最常见的三极管(BJT)。 但是还有另一种称为PNP晶体管,其工作方式相同,只是所有电流都朝相反的方向。 MOSFET管是另一种非常常见的晶体管类型。它也具有三个引脚:栅极(G)、漏极(D)、源极(S) MOS管和三极管同为晶体管,它们之间的工作原理也有些类似之处: 1).MOS管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似,左图图示是N沟道MOS管和NPN型晶体三极管引脚,右图图示是P沟道MOS管和PNP型晶体三极管引脚对应图。 2).它俩最大的不同是:MOS管是电压控制电流器件,经过栅极电压操控源漏间导通电阻,普通的晶体三极管是电流控制电流器件,经过基极较小的电流操控较大的集电极电流。MOS管道放大系数是(跨导gm)当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体三极管是电流放大系数(贝塔β)当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。 3).MOS管栅极和其它电极是绝缘的,不产生电流;而三极管工作时基极电流IB决定集电极电流IC。因此MOS管的输入电阻比三极管的输入电阻高的多。 4).MOS管只有多数载流子参与导电;三极管有多数载流子和少数载流子两种载流子参与导电,因少数载流子浓度受温度、辐射等因素影响较大,所以MOS管比三极管的温度稳定性好。 5).MOS管在源极未与衬底连在一起时,源极和漏极可以互换使用,且特性变化不大(这一点金誉半导体有专门讲过),而三极管的集电极与发射极互换使用时,其特性差异很大,b 值将减小很多,因此MOS管协调能力比晶体管好。 6).MOS管的噪声系数很小,在低噪声放大电路的输入级、及要求信噪比较高的电路中要选用MOS管。 7).MOS管和普通晶体三极管均可组成各种放大电路和开关电路,但是MOS管制造工艺简单,并且又具有普通晶体三极管不能比拟的优秀特性,在各种电路及应用中正逐步的取代普通晶体三极管,目前的大规模和超大规模集成电路中,已经广泛的采用MOS管。 原作者:金誉半导体 |
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