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MOS管学名场效应管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称上包括NMOS、PMOS等。 1、三个极的判定 G极(gate)—栅极,不用说比较好认 S极(source)—源极,不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是 D极(drain)—漏极,不论是P沟道还是N沟道,是单独引线的那边 2. N沟道与P沟道判别 箭头指向G极的是N沟道 箭头背向G极的是P沟道 3. 寄生二极管方向判定 不论N沟道还是P沟道MOS管,中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的: 要么都由S指向D,要么都由D指向S。 4. MOS管的开关条件N沟道—导通时 Ug> Us,Ugs> Ugs(th)时导通 P沟道—导通时 Ug< Us,Ugs< Ugs(th)时导通 总之,导通条件:|Ugs|>|Ugs(th)| 5. 从MOS管实物识别管脚 无论是NMOS还是PMOS 按上图方向摆正,中间的一脚为D,左边为G,右边为S。 或者这么记:单独的一脚为D,逆时针转DGS。 这里顺便提一下三极管的管脚识别:同样按照上图方向摆正,中间一脚为C,左边为B,右边为E。 MOS管的工作原理: MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管),它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电沟道,即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时,沟道内被感应的电荷量也改变,导电沟道的宽窄也随之而变,因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。 |
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