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你好。我有一个带有 L6390 的定制板,用于驱动两个 MOSFET。我的开关频率是 100kHz。我注意到在低占空比下,自举电容器没有正确充电。根据数据表,我发现由于驱动器的内阻,电容器没有足够的时间充电。我还注意到数据表的一部分说“如果这个压降太高,或者电路拓扑不允许足够的充电时间,可以使用外部二极管”。
由于之前的信息,我在引脚 4 和 16 之间添加了一个 1N4148 二极管。当我这样做时,驱动器不工作(PWM 正确到达输入支路,SD 打开,但没有任何输出)。如果我在操作时切断这个二极管,什么也不会发生,但是如果我在二极管被移除的同时关闭和打开电源,它会恢复工作。然而,如果在没有二极管的情况下工作,我在两个引脚(4 和 16)之间强制二极管,它不会停止工作并且低负载的问题消失。有什么我想念的吗?我可以在设计中添加一个开关以在电源打开后引入二极管,但我怀疑这是设计的预期动机。 非常感谢您的帮助,因为我已经被这个问题困扰了几个星期了。 |
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1个回答
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要替换内部自举二极管,建议使用具有低正向压降和低结电容的快速恢复高压二极管(例如STTH1L06 )或肖特基二极管。请记住,自举二极管的击穿电压必须大于高压总线轨。
此外,建议串联一个电阻器以限制启动期间自举二极管的峰值电流并限制 VBO 的 dV/dt。 在上电期间,自举电容器中可能没有电荷。 在这种情况下,驱动器无法立即正常启动,但应为自举电容器充电以打开低侧 MOSFET。 当 OUT 电压低于 IC 电源电压时,自举电容器被充电。 在这种情况下,电流从 IC 电源(Vcc 引脚)通过外部二极管流向自举电容器。 注意在这个过程的开始,Vcc 电源可能需要大量的电流。 使用像 1N4148 这样的二极管的问题在于它们的额定电流仅为 75mA 至 100mA,而且您的峰值电流可能非常高。 |
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