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我试图擦除 STM32g474re nucleo 上的一些闪存页面(以及带有 stm32g474veh3 的定制板上)。
闪存页面都在闪存库 2 上,因为我在参考手册中读到闪存库 2 可以在代码从银行 1 运行时写入。 然而,擦除第二个库中的页面(通过将 FLASH_EraseInitTypeDef 的“Banks”设置为 FLASH_BANK_2)没有效果。 (STM32Cube_FW_G4_V1.1.0/Projects/NUCLEO-G474RE/Examples/FLASH/FLASH_EraseProgram),定义了一个名为 uint32_t GetBank(uint32_t地址) 它只返回 FLASH_BANK_1。 这对我来说没有意义,闪存库 2 不是擦除或写入有意义的银行吗? |
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1个回答
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STM32G4 中的闪存可以在单组或双组模式下运行。(因为为什么不让它尽可能混乱呢?)
您的 FLASH_OPTR_DBANK 宏是否定义为启用双银行模式? 您指向的示例以单组模式运行,因此所有内存都是组 1。 |
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