[问答]

闪存页面擦除操作永远不会完成的原因？怎么解决？

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 我试图通过使用以下从 RAM 运行的代码来擦除 0x0800F800（在 64kB STM32F103C8T6 上）的单页闪存： while(FLASH->SR & FLASH_SR_BSY); FLASH->CR = FLASH_CR_PER; FLASH->AR = 0x0800F800; FLASH->CR \|= FLASH_CR_STRT; while (!(FLASH->SR & FLASH_SR_EOP)); FLASH->SR = FLASH_SR_EOP; FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PER; 我面临的问题是 EOP 从未设置为 1，FLASH_CR 中的 BSY 标志也从未设置为 0。擦除过程无限期挂起，当此代码先前从闪存（而非 RAM）执行时，它也导致完全锁定 MCU，无法进行 SWD 调试。我倾向于认为这可能是我的特定 MCU 的硬件故障。然而，让我怀疑的是，当 MCU 在尝试在固件中执行闪存操作之前被重置和停止时，批量擦除和/或页面擦除、闪存编程和验证都可以从 OpenOCD 和 ST-Link Utility 工作。什么可能导致这种行为？我有点迷茫，因为我认为将闪存编程代码从闪存移到 RAM 中可以解决问题，但显然它仍然挂起，但只有在尝试在 FW 中而不是通过 SWD/JTAG 时才挂起。 0
2022-12-26 07:21:35　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × wang21cj 该类别下有 44 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 41 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 39 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 33 个回答。邀请回答 HengDu 该类别下有 30 个回答。邀请回答 hwp0415229 该类别下有 28 个回答。邀请回答 jghgfdssas 该类别下有 28 个回答。邀请回答颜刚YanG 该类别下有 26 个回答。邀请回答可口可甜该类别下有 26 个回答。邀请回答 kingnet6688 该类别下有 26 个回答。邀请回答 jenny042 该类别下有 25 个回答。邀请回答 kingnet9999 该类别下有 25 个回答。邀请回答 andyfly7 该类别下有 25 个回答。邀请回答麻酱该类别下有 25 个回答。邀请回答 zyh34997 该类别下有 25 个回答。邀请回答柱子图宁该类别下有 25 个回答。邀请回答云汉007 该类别下有 24 个回答。邀请回答 ggfvxv 该类别下有 24 个回答。邀请回答 heks 该类别下有 24 个回答。邀请回答 iyfhnvbn 该类别下有 24 个回答。邀请回答举报王超相关推荐 • flash_erase无法无错误地擦除某些闪存页面怎么解决？ 363 • LS1043A QSPI的CodeWarrior闪存编程问题求解 353 • PIC32MZ内部闪存我也 1079 • 如何擦除stm32g474re nucleo上的一些闪存页面呢？ 361 • DWT计数器在STM32F103上的闪存页面擦除期间是否暂停？ 268 • 闪存页擦除是否会暂停PIC32MZ EF上的CPU？ 2026 • STM32L476闪烁新代码后，仿真EEPROM不会被擦除如何解决？ 240 • 在CM0+上使用systick时SROM操作超时的原因是什么？ 270 • LPC55S69的闪存API和MCUX驱动程序文档中的术语不一致的疑问求解 442 • 无法使用HAL驱动程序擦除闪存页面？ 347 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 如果有人遇到类似问题，我在 RM0008 参考手册第 59 页找到了答案，可以找到以下句子：对于 Flash 存储器的写入和擦除操作（写入/擦除），内部 RC 振荡器 (HSI) 必须打开。在我的固件中，HSI 在启动 HSE 和 PLL 后被关闭，因为这是用于 SYSCLK 的。这也解释了为什么从 OpenOCD/JTAG 可以进行闪烁 - 因为 HSI 是重置后的默认时钟源。

2022-12-26 11:02:13 评论举报王帅