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ARM11存储空间的问题

2012-5-18 21:31:17 3558

0 各位大虾好！最近在学习ARM，遇到一些问题无法解决，求帮助！我使用S3C6410，他的存储空间分为4个部分。有两个问题： 1.静态存储区分为6块，其中Bank2,3可以使用NANDFLASH控制，那么，这两个Bank总共有128*2=256M的控制，是怎么访问NANDFLASH的上G的空间的（我明白NAND是通过8个地址数据公用IO进行访问，大小不受这两个BANK的限制，既然如此，为什么这两个BANK还是要各分配128M的寻址空间呢？难道是为了控制其他设备时使用？）！ 2.动态存储区分为两块，DMC0和DMC1分别是256M和512M，这是否说明ARM11的DDR最大只支持768M？新人问两个小问题，望大家帮忙解决！！！谢谢 0
举报淘帖0 只看该作者相关推荐 • 存储空间的分配 1222 • ARM7、ARM9、ARM11、ARM-Cortex的关系及形象 922 • ARM11的主要性能有哪些？ 2024 • 初步学习ARM11 2355 • DSP的存储空间分配说明 2506 • I/O存储空间什么意思？ 4646 • Cortex-A8和ARM11区别 3794 • Cortex-A8和ARM11区别 3684 • linux在arm11上的应用 2503 • 如果存储空间已满，我该怎么办？ 46087 3条评论发表评论只看该作者

huanghuij · 2012-5-20 09:34:40 板凳新人表示回答不了。{:soso_e122:}精神上支持，并希望尽快热心大虾帮忙解决~

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