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几个月来,我一直在向 STM32H743ZIT6 上的闪存写入数据时遇到问题。大多数时候,一切都很好,我能够成功地从闪存中读取数据,但时不时地,闪存会以某种方式损坏并抛出 ECC 代码(单次和双次),这导致我的设备有总线故障。
我正在以 240Mhz 运行闪存外设/AXI 总线,并将闪存等待状态设置为 4 WS(5 个闪存时钟周期)。我遵循了与硬件设计相关的所有指南,并在 VCAP 引脚上设置了正确的核心电容。我大约每 10 秒向闪存写入 256 位数据以保存我的设备状态(当然,我在每次写入后增加写入地址,这样我就不会每次写入相同的位置)。当该扇区被填满时,它会被擦除,然后我开始写入该扇区的开头。我还将 BOR 位设置为最高电压设置,以尝试防止掉电问题。我认为这些是您需要了解的大部分重要设置。 今天在调试模式下查看我的寄存器设置时,我注意到默认情况下 WRHIGHFREQ 设置设置为 3(又名 11)...我在 HAL/代码中找不到完成此操作的任何地方,因此必须自动设置. 该手册仅列出了 0、1 和 2 的有效设置(见下文)。谁能告诉我当 WRHIGHFREQ 设置为 3 时,STM32H743ZIT6 闪存模块的行为是什么?它只是无效/未定义吗?也许这是我的问题? 有人有什么想法吗? |
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