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【STM32L021DX, STM32L021FX,STM32L021GX, STM32L021KX】本文档是关于基于ARM® Cortex®-M0+ 内核进阶型的超低功耗 单片机STM32L021D4,STM32L021F4,STM32L021G4,STM32L021K4的 数据手册。
特征： 超低功率平台 1.65V至3.6V电源 -40至125℃温度范围 0.23μA待机模式(2个唤醒引脚) 0.29μA停止模式(16条唤醒线) 0.54μA停止模式+rtc+2KB内存固位 运行模式下降至76μA/MHz 5μ的唤醒时间(从Flash内存) 41μA 12位模数转换器10 kSPS 核心：ARM 832位Cortex-MO+ -从32千赫至最大32兆赫。 -0.95 DMIPS/MHz 重置和供应管理 -超安全，低功耗BOR(断电复位) 有5个可选择的阈值 -超低功率POR/PDR 可编程电压检测器(PVD) 时钟源 -0至32 MHz外部时钟 32 kHz定标RTC振荡器 -高速内部16兆赫工厂-修整R (+/-1%) 国际低功耗37千赫rc 内部多速低功耗65 khz到 4.2 MHz RC -用于CPU时钟的PLL 预编程引导加载器 SPI支持 发展支助 支持串行线调试 最多28个快速I/O(23/OS5V) 
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