集成高侧MOSFET中的开关损耗分析

2022-11-16 08:00:15 430 MOSFET 开关损耗

0 图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终端具有寄生电容。在首个时段（图1中的t1），源极电压（VGS）正接近MOSFET的阈值电压，VTH和漏电流为零。因此，在此期间的功率损耗为零。在t2时段，MOSFET的寄生输入电容（CISS）开始充电，而漏极电流开始流经MOSFET，呈线性增加。对降压拓扑结构来讲，该电流是负载电流，而漏源电压（VDS）是输入电压（VIN）。因此，在第二个时段（t2），功率损耗可通过等式1表示：MOSFET的输入寄生电容冲完电后，负载电流流经MOSFET，而VD… 0 直流/直流转换器数据表——系统损耗揭秘.pdf 151.23 KB , 下载次数: 0
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