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6N140A/883B—高增益光电耦合器
概述详情： 6N140A / 883B是一款高可靠性H类四通道密封光电耦合器，采用16引脚DIP陶瓷封装。还提供镀金引线，焊接浸渍引线和各种引线形式选项。有关详细信息，请参见数据表。 该产品可在整个军用温度范围内运行和存储，也可以商品级购买，具有完整的MIL-PRF-38534 K级测试，或者来自适当的DLA SMD（H类83024，K类5962-98002）。 6N140A / 883B在MIL-PRF-38534认证系列上制造和测试，并包含在DLA 合格制造商列表QML-38534中，用于混合微电路。 每个通道包含一个GaAsP发光二极管，光学耦合到集成的高增益光子探测器。高增益输出级采用开路集电极输出，与传统的达达顿光电耦合器相比，具有更低的饱和电压和更高的信号传输速度。 IC工艺提供的浅深度和小结可提供比传统光电晶体管光电耦合器更好的抗辐射性。 电源电压可低至2.0 V，但不会对参数性能产生不利影响。这些器件在输入电流仅为0.5 mA时具有300％的最小CTR，非常适合用于低输入电流应用，如MOS，CMOS，低功耗逻辑接口或线路接收器。通过在18伏特下指定Icch和Ioh来确保与高压CMOS逻辑系统的兼容性。 具有一个，两个或四个通道的该模组的封装类型是8和16引脚DIP通孔，16-引脚表面贴装DIP扁平封装，以及20焊盘无引脚陶瓷芯片载体。大多数设备可以购买各种铅形式和电镀选项。有关详细信息，请参见数据表。 因为数据表中列出的每个器件的每个通道都使用相同的电子芯片（发射器和探测器），所示的绝对最大额定值，推荐工作条件，电气规格和性能特征在数据表中，所有部件的数字几乎相同。由于包装的变化和限制而存在偶然的例外，并且如上所述。另外，在所有设备中使用相同的包装组装过程和材料。这些相似性为使用从一个部件获得的数据来表示其他部件的可靠性和某些有限的辐射测试结果提供了理由。 概述特点： 高可靠性，四通道，16针DIP 双重标记设备部件号和DLA 标准微电路图 性能保证从-55º C 到125º C MIL-PRF-38534 H级，QML-38534 高辐射抗扰度 可靠性数据 MIL-PRF-38534可用K级 五种密封封装配置 单通道和双通道器件（不同封装） 低输入电流要求：0.5 mA 高电流传输率：典型值1500％@ IF = 0.5 mA 低输出饱和电压：0.11 V典型 1500 Vdc耐压测试电压 概括应用： 军事和航空航天 高可靠性系统 微处理器系统 运输，医疗和生命关键系统 隔离输入线路接收器 EIA RS-232-C线路接收器 电压电平转换 隔离输入线路接收器 隔离输出线路驱动器 逻辑接地隔离 恶劣的工业环境 电流回路接收器 系统测试设备隔离 过程控制输入/输出隔离 
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