如何对EEPROM芯片的读写速度进行测试呢

2829 EEPROM 芯片寄存器

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 如何对EEPROM芯片的读写速度进行测试呢？如何对EEPROM芯片的全片有效性进行测试呢？ 1
2022-2-24 07:53:45　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × heks 该类别下有 20 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 18 个回答。邀请回答 wang21cj 该类别下有 17 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 16 个回答。邀请回答科源机电该类别下有 15 个回答。邀请回答 liutiefu 该类别下有 15 个回答。邀请回答 kghfh 该类别下有 14 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 13 个回答。邀请回答 dgfdf 该类别下有 13 个回答。邀请回答 723662364d 该类别下有 13 个回答。邀请回答一巷清苑该类别下有 13 个回答。邀请回答 hjhdf 该类别下有 12 个回答。邀请回答 efwedfd 该类别下有 12 个回答。邀请回答小华同学该类别下有 12 个回答。邀请回答 jsqueh 该类别下有 12 个回答。邀请回答红旧衫该类别下有 12 个回答。邀请回答早知该类别下有 12 个回答。邀请回答 Ehunt 该类别下有 12 个回答。邀请回答张峰9998 该类别下有 12 个回答。邀请回答 hy381 该类别下有 12 个回答。邀请回答举报王尚岱相关推荐 • 关于FRAM替代EEPROM的芯片测试方案 3178 • 如何去完成挂载EMMC并测试读写速度的实验呢 1472 • 怎样使用STM32cubeide的I2C去读写EEPROM呢 1251 • 如何对RK3399 Linux系统的磁盘进行读写测试呢 1403 • 怎么在内部EEPROM上测试读写功能？ 2118 • i2c总线用户接口进行访问EEPROM如何才能实现呢 1245 • 关于EEPROM 3341 • 求一个STM8S系列的寄存器版的对EEPROM进行读写的例程程序，谢谢 3589 • USB读写速度计算 1231 • 怎样对DDR3芯片进行读写控制呢 1722 1个回答

EEPROM芯片测试

一、芯片的使用寿命

芯片的使用寿命、就是芯片的读写次数，在存储过程中最重要就是数据的可靠性，如果写进去和读上来的不一致，可能会造成重要数据的丢失。
　　芯片手册上一般会注明芯片的读写寿命是多少，如BL24C128A芯片手册上标明的寿命为1百万次。在实际的长运过程中发现，读写了620万+还是没有将一块内存写坏掉，我测试的方式是定义一块指定大小的存储空间，循环写入0x00-0xFF，然后在读上来，对比写进去与读出来的是否一致，不一致的话，错误计数加1。（注意：这里循环写入0x00-0xFF,前一次写入的0x00，那么下一次就写入0x01,依次类推）
　　发现实际测试的读写有效次数与芯片手册的描述有较大的差异，于是询问芯片的威廉希尔官方网站支持，威廉希尔官方网站支持的答复是128K这颗芯片，通常的寿命在600w-700w之间，也是测试超过1000w，芯片手册一般按照100w来的。
　　规格书上一般写1百万，只是保证前1百万次读写的百分之百可靠，从前1百万次以后读写数据就变得不可靠，可能这个不可靠的次数是从1000w以后才出来，也可能这个不可靠次数从第101次开始，规格书之所以写1百万，可能是芯片厂家留有回旋的余地吧。大家在使用时候一定要注意，读写寿命，计算好写到不可靠的时间，提前做好软件规避。

[tr]芯片类型使用寿命[/tr]

BL24C128A	1百万
BL24C512A	1百万
BL24CM1A	4百万
BL24CM2A	1百万

二、读写速度

读写速度，芯片规格书中也有说明，一般分为写单个字节的时间和写一页的时间，根据芯片的容量不同、页大小的不同，这些时间可能会存在一些差异。这个时间与底层驱动写操作之后延迟时间有关，比如你写了一块区域之后，又立刻读上来，可能在你读的过程中芯片还在执行写操作中，那么读回来的数据肯定会有问题呀。EEPROM芯片不像是Flash芯片，有单独的状态寄存器，可以通过读取状态寄存器的值来判断芯片是否处于忙碌状态，所以这里写时间要特别注意。

芯片手册推荐：

[tr]芯片类型写一个字节写一页页大小[/tr]

BL24C128A	3ms	3ms	64字节
BL24C512A	3ms	3ms	128字节
BL24CM1A	5ms	5ms	256字节
BL24CM2A	8ms	8ms	256字节

实际测试数据与芯片手册的数据相近，可以参考芯片手册中的数据。

测试方法：
　　指定地址，写入一个字节数据，然后在读上来，查看写入的和读上来的是否一致。每次改变写操作和读操作之间的延时时间。（IIC驱动写函数中写操作完成后加的毫秒延时），测试页同理，每次写入一整页测试。

三、全片有效性测试

全片有效性测试就是对全片的每一个位进行测试，防止某些位固定为1或者固定为0，导致写入的数据与实际数据不一致。这里的测试方法是全片写入0xAA，再读取上来，观察写入的和读取的数据是否一致。再全片写入0x55，读取比较。循环操作几次，就可以将坏的位筛选出来。这里为什么要写入0xAA、0x55呢？因为0xAA 的二进制为1010 1010， 0x55的二进制为0101 0101，刚好可以将每个位进行0写1、1写0测试。
　　如果是做产品的话，可以将该操作增加到出厂前的测试代码中，检查一遍EEPROM有效性，防止有问题的产品流入市场，减少损失。

四、温度临界值

同样芯片规格书中有明确的说明，芯片的操作温度范围、存储温度范围。自己也最好放到温箱里面实际测试下，跑个下限温度和上限温度。

芯片规格书温度数据（操作温度有的手册中没有注明奇怪）：

[tr]芯片类型操作温度存储温度[/tr]

BL24C128A	手册中没有找到	-65℃ to +150℃
BL24C512A	-40℃ to +85℃	-65℃ to +150℃
BL24CM1A	手册中没有找到	-65℃ to +150℃
BL24CM2A	手册中没有找到	-65℃ to +150℃

测试方法：
低温（-40℃）指定区域读写、记录读写不一致次数
高温（+85℃）指定区域读写、记录读写不一致次数
　　如果你的芯片应用场合是那种高温或者低温环境，这个温箱测试就很有必要了，之前有遇到过市场问题就和应用环境问题有关，家里找了半天不复现。

五、电压临界值

EEPROM芯片电源供电一般由板子供电，如果在板子刚上电的时候，芯片的供电电压还不稳定时，读写芯片可能会存在一些未知的风险和错误。故测试电压临界值就很有必要了，一般芯片规格书中都有说明供电电压的范围。
　　电源过低或者过高时想要保证数据操作的可靠性，就和IIC驱动中的时钟高电平的最短保持时间和最长保持时间有关系，之前看IIC驱动代码时，一直不太明白使用IO口模拟IIC时序时，时钟线的延时时间有怎样定义的，不同的代码延时时间不尽相同。看了芯片手册才明白，一般供电电压不同，芯片识别的时钟信号低电平和高电平的保持时间不相同，为了保证芯片正常工作，时钟电平的保持时间一般都会大于所需最长的保持时间。
如：BL24C128A芯片

电压范围在1.7V-2.5V之间：
　　时钟低电平持续时间必须大于等于1.3us
　　时钟高电平持续时间必须大于等于0.6us
电压范围在2.5V-5.5V之间：
　　SLK_L >= 0.5us
　　SLK_H >= 0.26us
　　为了考虑到电压的1.7V-2.5V、所以你的驱动中时钟低/高电平最短持续时间应该大于1.3us。我看过之前的IIC驱动基本时间都是4us、5us的，应该满足了大部分的EEPROM芯片的要求，如果你在编写一款EEPROM芯片的驱动，一定要注意下这个点。

测试方法：
　　EEPROM芯片电源引脚外接可变电源，调节不同电源电压在规定范围下，修改IIC驱动的时钟芯片保持时间，观察读写状态。
（修改IIC_DELAY_US宏的值）

六、编程注意

如果你的驱动程序想兼容所有BL系列芯片，需要注意以下两点：
第一点：
　　时钟信号低/高电平最短保持时间，应当与需要时间最长的芯片为准。
第二点：
　　芯片的设备地址和操作地址需要注意

BL24C128A的设备地址中A2A1A0作为设备地址、那就是最多可以挂2^3个芯片。

　　对于大容量的芯片而言，16位地址显然是不够的，厂商做了一个骚操作，将设备中A0当做操作地址高位B16来传输。对于BL24CM1A芯片，只有A2A1作为设备地址，那就最多挂2^2个芯片，同时读写操作时也应当注意，BL24CM2A也同理。