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西部数据(Western Digital;WD)宣布四日市工厂进行生产调整,减少晶圆投入的数量,且新建的第六工厂(Fab6)原定引进的新设备,也将延至2019年春季再决定是否迁入。由于新工厂设备延后,将影响生产计划,预计2019年存储器出货量与原定计划相比将减少10~15%。据悉,西部数据与东芝存储器共同经营的Fab 6工厂,于2018年9月正式落成,主要是量产最新研发的96层3D NAND,这次西部数据宣布延后导入新设备,应是第二期设备,第一期已于落成时导入。不过,这次西部数据宣布四日市工厂将减少投入晶圆,可能是出于单方面决定,因为东芝存储器并未做出上述宣布。 西部数据减产和新工厂设备导入延后,最主要的因素是NAND Flash市场供过于求。2018年三星、东芝、西部数据、SK海力士、美光/英特尔等不断提高64层3D NAND产出量,同时加快96层3D NAND威廉希尔官方网站
的推进。据悉,西部数据最新采用96层BiCS4的第二代3D QLC NAND(4bits/cell),单Die容量最高可达1.33Tb,相较于64层3D TLC NAND的512Gb,容量翻倍,这使得总GB当量的NAND Flash供应增加。在需求方面,虽然三星、苹果、华为等高端旗舰机容量向512GB升级,但是全球智能型手机出货放缓,尤其是中国市场,2018年累计9个月出货已同比下滑16.8%。美国的IT大型企业资料中心与去年相比,今年设备投资的金额也没有明显成长,导致2018年NAND Flash市场供过于求。 截止到10月底,2018年NAND Flash价格跌幅已超过了60%,而第四季度又是传统的淡季,预计NAND Flash价格恐进一步下滑。西部数据工厂减产的原因也主要是因为NAND Flash价格跌幅较大。 S70GL02GT11FHB010 S70GL02GT11FHV013 S29GL02GS12TFSR20 S70GL02GS11FHI010 S70GL02GS11FHA010 S70GL02GS12FHVV20 S70GL02GS12FHVV23 S70GL02GS12FHIV10 S70GL02GS12FHIV13 S70GL02GS12FHBV20 S70GL02GS11FHI023 S70GL02GS11FHI013 S70GL02GS11FHI020 S70GL02GS11FHV023 S70GL02GS12FHB020 S70GL02GS11FHA013 S70GL02GS12FHB010 S70GL02GS12FHIV20 S70GL02GS12FHIV23 S70GL02GS11FHV020 S70GL02GS12FHBV23 S29GL01GS10TFI023 S29GL01GS10TFI010 S29GL01GS10TFI013 S29GL01GS10TFA020 S29GL01GS10TFA023 S29GL01GS10TFA010 S29GL01GS10TFI020 S29GL01GS11TFI020 S29GL01GS11TFV013 S29GL01GS11TFV010 S29GL01GS11TFB020 S29GL01GS11TFB023 S29GL01GS11TFIV13 S29GL01GS11TFV023 S29GL01GS12TFVV20 S29GL01GS11TFI013 S29GL01GS11TFIV20 S29GL01GS11TFA010 S29GL01GS11TFB010 S29GL01GS12TFIV10 S29GL01GS12TFIV20 S29GL01GS11TFIV10 S29GL01GS11TFIV23 |
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