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NAND Flash在问世以来的几十年间经历了从SLC(1bit)到MLC(2bit)、TLC(3bit),到如今QLC(4bit)应用正不断扩大。而对于下一代PLC(5bit)威廉希尔官方网站 研发,继铠侠(原东芝存储器)于2019年首次披露PLC威廉希尔官方网站 研发之后,英特尔NAND产品与解决方案事业部高级副总裁兼总经理Rob Crooke也曾在活动中表示,英特尔已制定了未来PLC发展计划,由于其巨大的成本优势,预计将在大容量SSD产品中大有可为。如今英特尔NAND Flash和SSD业务已经出售,该研发计划有可能由SK海力士继承。众所周知,随着每个cell中bit数量的增长,存储密度自然显著增长,平均bit成本也将有所降低,然而,存储单元中每增加一个bit,所需的电压状态数量就要翻倍,发生错误的机率就会大大增加,从而造成性能和寿命损失。 近期,铠侠发布了一种新方法,并成功研发出了HLC(6bit per cell)威廉希尔官方网站 ,并称,通过威廉希尔官方网站 调整,OLC(8bit per cell)也是可能实现的。铠侠新威廉希尔官方网站 秘密“杀手锏”:77K(-196.15℃)超低温铠侠资料披露,将3D NAND Flash芯片浸润在温度为77K(-196.15℃)的液氮中,发现芯片的读取、编程和擦除性能完好,且读取噪声显著降低,循环耐久性相较在300K(26.85℃)也提升超过10倍,数据保存能力也得到极大提升。 铠侠研究表明,3D NAND芯片在77K低温环境下的编程性能和在300K室温下几乎一致;在执行擦除程序时,77K低温时所需的电压相较300K室温环境下需多增加2V电压。 在耐久性方面,研究发现,将3D NAND芯片在77K和在300K温度下进行耐久性测试,发现在300K室温下,P/E超过1000时,Vth就快速上扬;而在77K温度下,即便P/E超过30K后上升依然不明显。因此,可以说在77K温度下闪存芯片的循环耐久性较室温环境下超过10倍。 通过铠侠研究表明,低温操作不仅可以增加NAND Flash每个存储单元电荷数量,实现存储密度上升和单位bit成本降低。并且由于性能提升,也有助于推动3D NAND向量子计算机、空间电子等应用领域扩展。然而,值得注意的是,当前铠侠HLC威廉希尔官方网站 只是在学术层面,而并非商用层面,仅为存储业者提供新的解决思路。此前铠侠合作伙伴西部数据就曾表示,从QLC到PLC威廉希尔官方网站 过渡将更加缓慢,可能到2025年才陆续有相关产品问世。据此推断,真正商品化的HLC产品仍需多年才能面世。 KCD61LUL1T92 KCD6XLUL1T92 KCD6DLUL1T92 KCD6FLUL1T92 KCD61LUL960G KCD6XLUL960G KCD6DLUL960G KCD6FLUL960G KBG50ZNS1T02 KBG5AZNS1T02 KBG50ZNS512G KBG5AZNS512G KBG50ZNS256G KBG5AZNS256G KBG50ZNV1T02 KBG5AZNV1T02 KBG50ZNV512G KBG5AZNV512G KBG50ZNV256G KBG5AZNV256G LSE10Z001TC8 LSE10Z002TC8 LRD20Z500GC8 LRD20Z001TC8 LRD20Z002TC8 LRC20Z001TC8 LRC20Z002TC8 LRC10Z250GC8 LRC10Z500GC8 LRC10Z001TC8 LTC10Z240GC8 LTC10Z480GC8 LTC10Z960GC8 |
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