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ASEMI快恢复二极管US1G参数，us1g封装，us1g资料

2022-1-13 16:47:03 401

0 编辑-Z ASEMI快恢复二极管US1G参数：型号：US1G 最大重复峰值反向电压（VRRM）：400V 最大有效值电压（VRMS）：280V 最大直流阻断电压（VDC）：400V 最大平均正向整流电流（I(AV)）：1A 峰值正向浪涌电流（IFSM ）：30A 最大瞬时正向电压（VF）：1.3V 额定最大直流反向电流（IR）：5uA 典型的反向恢复时间（trr）：50nS 典型结电容（CJ）：20pF 典型热阻（RθJA ）：88℃/W 工作结温（TJ）：-55 to +150℃ 储存温度范围（TSTG）：-55 to +150℃ US1G封装尺寸：总长度：5.28mm 本体长度：4.6mm 引脚宽度：1.6mm 宽度：2.9mm 高度：2.62mm US1G特征资料：塑料包装有保证实验室可燃性分类94V-0 内置应力消除装置，非常适合自动放置玻璃钝化芯片结快速切换以实现高效率高温焊接260 / 10秒 0 本帖子中包含更多资源您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？注册 x
2022-1-13 16:47:03　　评论淘帖0 举报相关推荐 • US1G-ASEMI二极管US1G的特性是什么 845 • ASEMI快恢复二极管US1G规格书下载 6 • MDD 超快恢复二极管 US1G数据手册 0 • ASEMI恢复二极管US1G的代换原则 869 • ASEMI高效恢复二极管US1M和US1G有什么区别？ 953 • ASEMI高效恢复二极管型号之US1G 612 • US1M-ASEMI高效恢复二极管US1M 769 • ASEMI快恢复二极管US1AF THRU US1MF规格书 0 • ASEMI快恢复二极管US1M参数，US1M恢复时间，US1M压降 536 • ASEMI快恢复二极管US1M参数/恢复时间/电压说明 11